[发明专利]一种具有背反射层的电池片及其制备方法无效
申请号: | 201110438900.0 | 申请日: | 2011-12-23 |
公开(公告)号: | CN102522433A | 公开(公告)日: | 2012-06-27 |
发明(设计)人: | 王明聪;蔡蔚;吴婧;盛雯婷;张凤鸣 | 申请(专利权)人: | 天威新能源控股有限公司;保定天威集团有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/18 |
代理公司: | 成都高远知识产权代理事务所(普通合伙) 51222 | 代理人: | 李高峡 |
地址: | 610200 四川省成都市*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 反射层 电池 及其 制备 方法 | ||
1.一种具有背反射层的电池片,其特征在于:该电池片的硅基底(1)背面设有SiOx反射层(2)、Al金属层(3)、局域铝背场(4);其中,SiOx反射层(2)直接与硅基底(1)背面相接,Al金属层(3)设置在SiOx反射层(2)的外表面,局域铝背场(4)穿过SiOx反射层(2)将硅基底(1)和Al金属层(3)连接。
2.根据权利要求1所述的电池片,其特征在于:SiOx反射层(2)的厚度为85-95nm。
3.根据权利要求2所述的电池片,其特征在于:SiOx反射层(2)的厚度为90nm。
4.根据权利要求1所述的电池片,其特征在于:Al金属层(3)的厚度为0.7-1.3μm。
5.根据权利要求4所述的电池片,其特征在于:Al金属层(3)的厚度为1μm。
6.根据权利要求1-5所述的电池片,其特征在于:局域铝背场(4)在背面的面积覆盖率为5%-10%。
7.权利要求1-6任意一项所述的电池片的制备方法,其特征在于:它包括如下步骤:
A、取已制备正面减反射膜的硅片,先在其背面沉积一层SiOx反射层;
B、在SiOx反射层上印刷铝浆,再印刷正面电极后,烧结,形成局域铝背场;
C、在SiOx反射层表面镀上一层Al金属层后,即得到具有背反射层的电池片。
8.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于:步骤A中,SiOx反射层的厚度为85-95nm;步骤B中,局域铝背场的在背面的面积覆盖率为5%-10%;步骤C中,Al金属层的厚度为0.7-1.3μm。
9.根据权利要求8所述的制备方法,其特征在于:步骤A中,SiOx反射层的厚度为90nm;步骤C中,Al金属层的厚度为1μm。
10.根据权利要求7-9任意一项所述的制备方法,其特征在于:步骤C中,采用蒸镀法在SiOx反射层表面镀上一层Al金属层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的