[发明专利]电极、使用该电极的光电转换器件及其制造方法

权利要求书

1.一种用于制造电极的方法，包括以下步骤：

形成多个平行沟槽部分；

向所述多个平行沟槽部分以及夹在所述多个平行沟槽部分之间的区域提供导电材料，使得所述导电材料与所述多个平行沟槽部分之间的区域相接触；以及

固定所述导电材料。

2.如权利要求1所述的用于制造电极的方法，其特征在于，

所述多个平行沟槽部分形成于基板的表面上。

3.如权利要求2所述的用于制造电极的方法，其特征在于，

所述基板是半导体基板。

4.如权利要求1所述的用于制造电极的方法，其特征在于，

所述导电材料是导电树脂。

5.如权利要求4所述的用于制造电极的方法，其特征在于，

所述导电树脂选自下列组之中的一种：银膏、铜膏、镍膏、钼膏。

6.如权利要求1所述的用于制造电极的方法，其特征在于，

所述导电材料通过丝网印刷方法来提供。

7.如权利要求1所述的用于制造电极的方法，其特征在于，

所述导电材料通过烘烤所述导电材料来固定。

8.一种用于制造光电转换器件的方法，包括以下步骤：

在半导体基板表面上形成多个平行沟槽部分；

在包括所述多个平行沟槽部分的半导体基板表面上形成第一杂质层；

向所述多个平行沟槽部分以及所述多个平行沟槽部分之间的区域提供导电材料；以及

固定所述导电材料。

9.如权利要求8所述的用于制造光电转换器件的方法，其特征在于，

所述导电材料是导电树脂。

10.如权利要求9所述的用于制造光电转换器件的方法，其特征在于，

所述导电树脂选自下列组之中的一种：银膏、铜膏、镍膏、钼膏。

11.如权利要求8所述的用于制造光电转换器件的方法，其特征在于，

所述导电材料通过丝网印刷方法来提供。

12.如权利要求8所述的用于制造光电转换器件的方法，其特征在于，

所述导电材料通过烘烤所述导电材料来固定。

13.如权利要求8所述的用于制造光电转换器件的方法，其特征在于，

所述第一杂质层具有与所述半导体基板相反的导电类型。

14.如权利要求8所述的用于制造光电转换器件的方法，其特征在于，还包括以下步骤：

在所述第一杂质层上形成绝缘层，其中所述导电材料被提供到所述绝缘层上。

15.如权利要求8所述的用于制造光电转换器件的方法，其特征在于，还包括以下步骤：

在所述第一杂质层上形成第二杂质层；以及

在所述第二杂质层上形成透光导电膜，

其中所述导电材料被提供到所述透光导电膜上。

16.如权利要求15所述的用于制造光电转换器件的方法，其特征在于，

所述第一杂质层是i型非晶硅层，以及

所述第二杂质层具有p型导电类型。

17.一种在多个平行沟槽部分中以及在所述多个平行沟槽部分之间的区域上形成的电极。

18.如权利要求17所述的电极，其特征在于，

所述电极包括导电树脂。

19.如权利要求18所述的电极，其特征在于，

所述导电树脂选自下列组之中的一种：银膏、铜膏、镍膏、钼膏。

20.一种光电转换器件，包括：

半导体基板，所述半导体基板包括多个平行沟槽部分；

在所述半导体基板上的第一杂质层，其中所述第一杂质层在所述多个平行沟槽部分中以及在所述多个平行沟槽部分之间的区域上形成；以及

在所述第一杂质层上的电极，其中所述电极在所述多个平行沟槽部分中以及在所述多个平行沟槽部分之间的区域上形成。

21.如权利要求20所述的光电转换器件，其特征在于，还包括：

在所述第一杂质层上的第二杂质层；以及

在所述第二杂质层上的透光导电膜。