[发明专利]一种基于两种阈值电压MOS器件的带隙基准电路

权利要求书

1.一种基于两种阈值电压MOS器件的带隙基准电路，包含有一负温度系数电流源电路的启动电路(201)、一与温度成负比例关系的电流源电路(202)、一基准电压输出电路(203)、一与温度成正比例关系的电流源电路(204)、一偏置电路(205)、一正温度系数电流源电路的启动电路(206)，其特征在于：所述的与温度成负比例关系的电流源电路(202)中采用了两种阈值电压MOS器件，该电路产生与温度成负比例关系的电流，该电流具有二阶温度特性。

2.根据权利要求1所述的基于两种阈值电压MOS器件的带隙基准电路，其特征在于：所述的与温度成负比例关系的电流源电路(202)包含有由MP1、MP2、MP3、MP4、MP5和MP6构成的电流镜电路，采用共源共栅电流镜可以有效提高电路的电源抑制性能；工作于亚阈值区域的高阈值电压NMOS器件MN1、工作于饱和区域的低阈值电压NMOS器件MN2，两MOS器件的栅极-源极电压的差值ΔV_GS在电阻R1上产生与温度成负比例关系的电流，该电流具有二阶温度特性。

3.根据权利要求2所述的基于两种阈值电压MOS器件的带隙基准电路，其特征在于：本实施例中选用40nm工艺，阈值电压较高的MN1器件为2.5V器件，其宽长比为W₁∶L₁；阈值电压较低的MN2器件为1.1V器件，其宽长比为W₂∶L₂；电流镜电路使MN1和MN2上的电流相等，设该电流为I_CTAT，其电流大小可以等式10表示

ICTAT=1R1(Vth_1-Vth_2+mVTlnICTATVT2μn_1Cax_1W1/L1-2ICTATμn_2Cax_2W2/L2)]]>(式10)

其中

V_{th_1}、V_{th_2}分别为2.5VNMOS器件MN1和1.1VNMOS器件的阈值电压；μ_{n_1}、μ_{n_2}分别为2.5VNMOS器件MN1和1.1VNMOS器件的迁移率；C_{ox_1}、C_{ox_1}分别为2.5VNMOS器件MN1和1.1VNMOS器件的单位面积栅极氧化层电容。