[发明专利]EPON Triplexer OLT激光器保护模块有效
申请号: | 201110440521.5 | 申请日: | 2011-12-23 |
公开(公告)号: | CN102496837A | 公开(公告)日: | 2012-06-13 |
发明(设计)人: | 蒋旭;张书源 | 申请(专利权)人: | 索尔思光电(成都)有限公司 |
主分类号: | H01S3/04 | 分类号: | H01S3/04;H01S5/024;H04Q11/00 |
代理公司: | 四川力久律师事务所 51221 | 代理人: | 林辉轮;王芸 |
地址: | 611731 四川省成都市高新区西*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | epon triplexer olt 激光器 保护 模块 | ||
1.EPON Triplexer OLT激光器保护模块,其特征在于,该保护模块包括微处理器、所述微处理器连接温度控制驱动电路,所述温度控制驱动电路连接Triplexer激光器,所述Triplexer激光器包括10G EML激光器和1.25G DBF激光器,其中,10G EML激光器内部设置有半导体制冷器和温度控制模块,所述微处理器包括光模块内部温度采集模块。
2.根据权利要求1所述的EPON Triplexer OLT激光器保护模块,其特征在于,所述微处理器通过激光器温度设置和激光器温度采集对温度控制驱动电路实行闭环控制,将10G EML激光器控制在设定的温度。
3.根据权利要求2所述的EPON Triplexer OLT激光器保护模块,其特征在于,所述设定的温度为45℃。
4.根据权利要求3所述的EPON Triplexer OLT激光器保护模块,其特征在于,所述温度控制驱动电路为10G EML激光器提供调节电流,微处理器通过调节电流采集,实现对调节电流的实时监控,从而使得10G EML激光器内部温度控制在45℃。
5.根据权利要求4所述的EPON Triplexer OLT激光器保护模块,其特征在于,当10G EML激光器的内部温度高于45℃时,温度控制驱动电路对10G EML激光器提供制冷电流,此制冷电流使10G EML激光器内部的半导体制冷器制冷,实现对10G EML激光器的温度控制。
6.根据权利要求5所述的EPON Triplexer OLT激光器保护模块,其特征在于,当10G EML激光器的内部温度低于45℃时,温度控制驱动电路对10G EML激光器提供加热电流,此加热电流使10G EML激光器内部的半导体制冷器加热,将10G EML激光器内部温度控制在45℃。
7.根据权利要求1至6之一所述的EPON Triplexer OLT激光器保护模块,其特征在于,该保护模块还包括10G激光器驱动电路,所述10G激光器驱动电路为10G EML激光器提供驱动电流。
8.根据权利要求7所述的EPON Triplexer OLT激光器保护模块,其特征在于,当10G EML激光器内部温度超出设定的温度范围时,所述微处理器通过10G激光器关断命令,自动关断10G激光器驱动电路的驱动电流,使得10G EML激光器工作在内部温度为设定的温度范围内。
9.根据权利要求8所述的EPON Triplexer OLT激光器保护模块,其特征在于,所述设定的温度范围为40℃~50℃。
10.根据权利要求9所述的EPON Triplexer OLT激光器保护模块,其特征在于,所述微处理器通过10G激光器驱动电路,使得10G EML激光器在高于第一下限温度、且低于或等于第一上限温度的温度范围内,其工作电流随温度升高而逐渐减小,进而在满足一定指标的情况下10G EML激光器的功耗减小。
11.根据权利要求10所述的EPON Triplexer OLT激光器保护模块,其特征在于,所述第一下限温度为70℃。
12.根据权利要求10所述的EPON Triplexer OLT激光器保护模块,其特征在于,所述第一上限温度为85℃。
13.根据权利要求12所述的EPON Triplexer OLT激光器保护模块,其特征在于,当光模块在70℃~85℃温度范围内时,所述微处理器根据预先写好的查找表,分别计算出不同温度点对应的10G EML激光器偏置电流和调制电流,通过10G激光器光功率和消光比设置,控制10G激光器驱动电路逐渐减小10G EML激光器的偏置电流和调制电流,使10G EML激光器的输出光功率和消光比逐渐减小。
14.根据权利要求13所述的EPON Triplexer OLT激光器保护模块,其特征在于,当光模块温度高于第一上限温度时,所述微处理器通过10G激光器关断命令,自动关断10G激光器驱动电路的驱动电流。
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