[发明专利]湿法蚀刻工艺的先进工艺控制方法无效
申请号: | 201110441122.0 | 申请日: | 2011-12-26 |
公开(公告)号: | CN103173766A | 公开(公告)日: | 2013-06-26 |
发明(设计)人: | 刘佳磊 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | C23F1/00 | 分类号: | C23F1/00;C23F1/08;C30B33/10 |
代理公司: | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人: | 董巍;顾珊 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 湿法 蚀刻 工艺 先进 控制 方法 | ||
1.一种湿法蚀刻工艺的先进工艺控制方法,该方法包括以下步骤:
通过测量装置测量,得到湿法蚀刻前膜的全图或线性膜厚度;
用所得湿法蚀刻前膜的全图或线性膜厚度减去湿法蚀刻后的目标膜厚度,确定实际的目标湿法蚀刻曲线;和
根据所得实际的目标湿法蚀刻曲线确定蚀刻流程进行蚀刻。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述蚀刻流程包括以下参数中至少一个:蚀刻时间、喷嘴摆动位置、蚀刻温度和蚀刻速率。
3.根据权利要求2所述的方法,其中所述喷嘴摆动位置包括大于2个点和/或线段。
4.根据权利要求2所述的方法,其中所述喷嘴摆动位置包括1~10个点和/或线段。
5.根据权利要求1或2中任一项所述的方法,其中所述蚀刻流程还包括蚀刻剂浓度、晶圆旋转速率、和喷嘴摆动速率。
6.根据权利要求1所述的方法,其中当湿法蚀刻前膜的全图或线性膜厚度减去湿法蚀刻后的目标膜厚度所得的值小于0时,所得实际的目标湿法蚀刻曲线中该位置的值设定为0。
7.根据权利要求2所述的方法,其中所述蚀刻流程的参数中至少一个可调。
8.根据权利要求2所述的方法,其中在确定蚀刻流程时,自动调整参数以满足实际的目标湿法蚀刻曲线。
9.根据权利要求1所述的方法,其中在确定蚀刻流程时,自动选取1组或多组预设控制模式以满足实际的目标湿法蚀刻曲线,所述预设控制模式的参数包括以下参数中至少一个:蚀刻时间、喷嘴摆动位置、蚀刻温度、蚀刻速率、蚀刻剂浓度、晶圆旋转速率、和喷嘴摆动速率。
10.根据权利要求1所述的方法,其中所述湿法蚀刻前膜的全图或线性膜厚度包括至少3个点的膜厚度值。
11.根据权利要求1所述的方法,其中所述湿法蚀刻前膜的全图包括45~230个点的膜厚度值。
12.根据权利要求1所述的方法,其中所述湿法蚀刻前膜的线性膜厚度包括10~125个点的膜厚度值。
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