[发明专利]一种片状晶自组装硫化铜薄膜的制备方法无效

专利信息
申请号: 201110441565.X 申请日: 2011-12-19
公开(公告)号: CN102560677A 公开(公告)日: 2012-07-11
发明(设计)人: 黄剑锋;齐慧;张培培;曹丽云;吴建鹏;费杰;王勇 申请(专利权)人: 陕西科技大学
主分类号: C30B29/46 分类号: C30B29/46;C30B29/64;C30B7/14
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 陆万寿
地址: 710021 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 片状 组装 硫化铜 薄膜 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种片状晶自组装硫化铜薄膜的制备方法,其特征在于:

1)将玻璃基板浸泡在稀盐酸中,使用超声波震荡30min~60min后,用蒸馏水洗涤干净,然后将基板置于浓硫酸、双氧水与去离子水的混合溶液中,静置24-72h进行活化,取出后用蒸馏水和无水乙醇分别洗涤,再用N2吹干,放置备用;

其中浓硫酸、双氧水与去离子水的体积比为1∶1∶1;

2)将分析纯的可溶性铜盐加入到去离子水中,制成Cu2+浓度为0.003mol/L-0.1mol/L的透明溶液,然后再加入乙二胺四乙酸(EDTA),使得溶液中[Cu2+]∶[EDTA]的摩尔比为5~10∶1,得溶液A;

3)向溶液A中加入分析纯的硫代乙酰胺(CH3CSNH2),使溶液中CH3CSNH2的浓度为0.01mol/L-1.0mol/L,得溶液B;

4)将溶液B倒入烧杯中,然后将之前活化处理过的玻璃基板垂直放入烧杯中,密封后将其放入干燥箱中沉积,沉积温度控制在50-100℃,沉积时间控制在5-15h,反应结束后自然冷却到室温;

5)取出基板,分别使用去离子水和无水乙醇洗涤,然后用氮气吹干,在40-100℃下真空干燥得到最终产物片状晶自组装硫化铜薄膜。

2.根据权利要求1所述的片状晶自组装硫化铜薄膜的制备方法,其特征在于:所述的可溶性铜盐为硝酸铜或醋酸铜。

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