[发明专利]一种芯片切割方法

权利要求书

1.一种芯片切割方法，其特征在于，包括交替进行若干次横向切割和若干次纵向切割，具体步骤：

(一)首次横向切割，间隔N列晶粒切割，所述N为整数且N≥2；首次纵向切割，间隔M列晶粒切割，所述M为整数且M≥1；

(二)后续横向切割和/或后续纵向切割，间隔一列或一列以上晶粒对未切割的晶粒切割，直至将每个晶粒分离。

2.根据权利要求1所述的一种芯片切割方法，其特征在于，步骤(一)所述2≤N≤1/2晶粒横向总列数。

3.根据权利要求1所述的一种芯片切割方法，其特征在于，步骤(一)所述2≤M≤1/2晶粒纵向总列数。

4.根据权利要求3所述的一种芯片切割方法，其特征在于，步骤(一)所述N与步骤(一)所述M相等。

5.根据权利要求4所述的一种芯片切割方法，其特征在于，步骤(一)所述N＝2或3或4或5，步骤(一)所述M＝2或3或4或5。

6.根据权利要求1所述的一种芯片切割方法，其特征在于，所述横向切割为两次横向切割，所述纵向切割为两次纵向切割；步骤(一)所述N＝2，步骤(一)所述M＝2；步骤(二)所述后续横向切割为间隔两列晶粒对未切割的晶粒切割，步骤(二)所述后续纵向切割为间隔两列晶粒对未切割的晶粒切割。

7.根据权利要求1所述的一种芯片切割方法，其特征在于，所述横向切割为两次横向切割，所述纵向切割为一次纵向切割；步骤(一)所述N＝2，步骤(一)所述M＝1；步骤(二)所述后续横向切割为间隔两列晶粒对未切割的晶粒切割。

8.根据权利要求1所述的一种芯片切割方法，其特征在于，所述横向切割为两次横向切割，所述纵向切割为两次纵向切割；步骤(一)所述N＝3，步骤(一)所述M＝3；步骤(二)所述后续横向切割为间隔一列或两列晶粒对未切割的晶粒切割，步骤(二)所述后续纵向切割为间隔一列或两列晶粒对未切割的晶粒切割。