[发明专利]一种高温肖特基二极管有效
| 申请号： | 201110442178.8 | 申请日： | 2011-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN103178095A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 王艳春;高云飞;李旺勤 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高温 肖特基 二极管 | ||
1.一种高温肖特基二极管，其特征在于，包括：
n型半导体衬底；
P型重掺杂环状区域，所述P型重掺杂环状区域形成在所述n型半导体衬底内；
合金层，所述合金层形成在所述P型重掺杂环状区域之内，所述合金层与所述P型重掺杂区域形成欧姆接触，所述合金层与所述n型半导体衬底形成肖特基接触；
绝缘区域，所述绝缘区域的数量至少为一个，所述绝缘区域形成在所述肖特基接触区域之上，所述绝缘区域将所述肖特基接触区域分割成至少两部分，所述每一部分肖特基接触区域上具有接触孔；
势垒金属层，所述势垒金属层形成在所述肖特基接触区域之上；
聚酰亚胺保护层，所述聚酰亚胺保护层形成在所述势垒金属层之上，所述聚酰亚胺保护层具有贯通至所述势垒金属层的通孔；
阳极金属，所述阳极金属形成在所述聚酰亚胺保护层之上并通过聚酰亚胺保护层的通孔与所述势垒金属层接触。
2.如权利要求1所述的高温肖特基二极管，其特征在于，所述n型半导体衬底为轻掺杂的n型半导体衬底。
3.如权利要求1所述的高温肖特基二极管，其特征在于，所述肖特基接触区域被所述绝缘区域分割，所述绝缘区域与n型半导体衬底直接接触。
4.如权利要求1所述的高温肖特基二极管，其特征在于，所述势垒金属层覆盖所述绝缘区域。
5.如权利要求1所述的高温肖特基二极管，其特征在于，所述聚酰亚胺保护层直接层涂布于所述势垒金属层之上，所述聚酰亚胺保护层完全覆盖所述绝缘区域，所述聚酰亚胺的面积大于所述绝缘区域的面积。
6.如权利要求1所述的高温肖特基二极管，其特征在于，所述肖特基接触和欧姆接触通过同一接触孔与势垒金属连接。
7.如权利要求1所述的高温肖特基二极管，其特征在于，所述合金层的形状为多边形、圆形、线形和弧形组成的图形、或者不规则弧线组成的图形。
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