[发明专利]类钻碳保护装置及其相关方法无效
申请号: | 201110442258.3 | 申请日: | 2011-12-26 |
公开(公告)号: | CN102529214A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 宋健民 | 申请(专利权)人: | 宋健民 |
主分类号: | B32B9/04 | 分类号: | B32B9/04 |
代理公司: | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人: | 孙皓晨 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 类钻碳 保护装置 及其 相关 方法 | ||
1.一种涂覆有类钻碳的基材,其包含:
一基材;
一掺杂氢的类钻碳层,该掺杂氢的类钻碳层设置于该基材上,且该类钻碳层至少沿着该基材与该类钻碳层间的一界面掺杂有一硅材料;以及
一表面掺杂层,该表面掺杂层设置于该类钻碳层上而相对于该基材。
2.如权利要求1所述的涂覆有类钻碳的基材,其中该表面掺杂层掺杂有一疏水性掺杂物。
3.如权利要求2所述的涂覆有类钻碳的基材,其中该疏水性掺杂物为氟。
4.如权利要求1所述的涂覆有类钻碳的基材,其中该表面掺杂层掺杂有一亲水性掺杂物。
5.如权利要求4所述的涂覆有类钻碳的基材,其中该亲水性掺杂物包括一物质,该物质选自下列所构成的群组:氮、氧、羟基(OH)、氨基(NH2)及其等的混合物。
6.如权利要求1所述的涂覆有类钻碳的基材,其中该表面掺杂层同时掺杂有一亲水性掺杂物与一疏水性掺杂物。
7.如权利要求1所述的涂覆有类钻碳的基材,其中该硅材料包括一物质,该物质选自下列所构成的群组:硅、硅氧基(Si-O)、及其等的混合物。
8.如权利要求1所述的涂覆有类钻碳的基材,其中该硅材料实质上掺杂且遍布于该类钻碳层。
9.如权利要求1所述的涂覆有类钻碳的基材,其中该基材包括一物质,该物质选自下列所构成的群组:金属、玻璃、聚合物、及其等的混合物。
10.如权利要求1所述的涂覆有类钻碳的基材,其中至少80%的照射于该类钻碳层的光线穿透至下方的基材。
11.如权利要求1所述的涂覆有类钻碳的基材,其中该基材为一触控屏幕。
12.如权利要求1所述的涂覆有类钻碳的基材,其中该基材为一媒体磁盘。
13.如权利要求1所述的涂覆有类钻碳的基材,其中该基材为一组件,该组件选自下列所构成的群组:一眼镜镜片、一腕表镜面及一手机屏幕。
14.如权利要求1所述的涂覆有类钻碳的基材,其更包括一碳化硅层,该碳化硅层设置于该基材与该掺杂氢的类钻碳层之间。
15.一种类钻碳保护装置,其包含:
一装置外壳;
一装置基材,该装置基材连接至该装置外壳;
一掺杂氢的类钻碳层,该掺杂氢的类钻碳层设置于该装置基材上,该类钻碳层至少沿着该装置基材与该类钻碳层间的一界面掺杂有一硅材料;以及
一表面掺杂层,该表面掺杂层设置于类钻碳层上而相对于该装置基材。
16.如权利要求15所述的类钻碳保护装置,其中该装置外壳的至少一部分涂覆有一类钻碳保护层。
17.如权利要求15所述的类钻碳保护装置,其中该表面掺杂层掺杂有一疏水性掺杂物。
18.如权利要求15所述的类钻碳保护装置,其中该表面掺杂层掺杂有一亲水性掺杂物。
19.如权利要求15所述的类钻碳保护装置,其中该硅材料包括一物质,该物质选自下列所构成的群组:硅、硅氧基(Si-O)及其等的混合物。
20.一种结合类钻碳保护涂层至一表面的方法,其包含:
于一基材上涂布一掺杂氢的类钻碳层;
掺杂一硅材料,其中该硅材料至少沿着该掺杂氢的类钻碳层与该基材之间的界面掺杂于该基材;以及
涂布一表面掺杂物,该表面掺杂物涂布于该掺杂氢的类钻碳层的一侧上而相对于该基材。
21.如权利要求20所述的方法,其中该表面掺杂物包括一物质,该物质选自下列所构成的群组:疏水性掺杂物、亲水性掺杂物及其等的混合物。
22.如权利要求20所述的方法,其中该硅材料包括一物质,该物质选自下列所构成的群组:硅、硅氧基(Si-O)及其等的混合物。
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