[发明专利]光阻图案形成方法

权利要求书

1.一种光阻图案形成方法，其是在最表面形成有铬化合物膜的空白光掩模上的光阻图案形成方法，其至少包含下述步骤：将化学增幅型光阻组合物涂布于在最表面形成有铬化合物膜的空白光掩模上，通过加热除去涂布膜上残留的过剩的溶剂成分，得到光阻膜的步骤；利用高能量线来进行图案曝光的步骤；以及使用显影液来显影的步骤，

其特征在于，该化学增幅型光阻组合物，含有：

(A1)基础树脂，其是以酸不稳定基保护而具有酸性官能基的碱不溶性或难溶性的树脂，当该酸不稳定基脱离时会变成碱可溶性；

(B)酸产生剂；及

(C)1种或2种以上的具有羧基且不含有共价键结于碱性中心即氮上的氢的胺化合物，但排除胺的氮原子被包含于芳香环的环状结构的情形，并且是以下述一般式(1)或一般式(3)表示的具有羧基的胺化合物，

上式(1)中，R₁、R₂分别是碳数1～20的直链状、支链状或环状的烷基、碳数6～20的芳基、碳数7～20的芳烷基、碳数2～10的羟烷基、碳数2～10的烷氧基烷基、碳数2～10的酰氧基烷基、碳数1～10的烷硫基烷基的任一种；又，R₁与R₂也可键结而形成环状结构；R₃是氢、碳数1～20的直链状、支链状或环状的烷基、碳数6～20的芳基、碳数7～20的芳烷基、碳数2～10的羟烷基、碳数2～10的烷氧基烷基、碳数2～10的酰氧基烷基、碳数1～10的烷硫基烷基、卤素基的任一种；R₄则是碳数0～20的直链状、支链状或环状的亚烷基、碳数6～20的亚芳基，

上式(3)中，R₅是碳数2～20的直链状或支链状的可取代的亚烷基，但亚烷基的碳-碳间也可含有1个或多个羰基、醚基、酯基、硫醚基；又，R₆是碳数1～20的直链状、支链状或环状的亚烷基、碳数6～20的亚芳基。

2.一种光阻图案形成方法，其是在最表面形成有铬化合物膜的空白光掩模上的光阻图案形成方法，其至少包含下述步骤：将化学增幅型光阻组合物涂布于在最表面形成有铬化合物膜的空白光掩模上，通过加热除去涂布膜上残留的过剩的溶剂成分，得到光阻膜的步骤；利用高能量线来进行图案曝光的步骤；以及使用显影液来显影的步骤，

其特征在于，该化学增幅型光阻组合物，含有：

(A2)碱可溶性且通过酸催化剂而变成碱不溶性的基础树脂、及/或碱可溶性且通过酸催化剂而与交联剂反应并变成碱不溶性的基础树脂与交联剂的组合；

(B)酸产生剂；及

(C)1种或2种以上的具有羧基且不含有共价键结于碱性中心即氮上的氢的胺化合物，但排除胺的氮原子被包含于芳香环的环状结构的情形，并且是以下述一般式(1)或一般式(3)表示的具有羧基的胺化合物，

上式(1)中，R₁、R₂分别是碳数1～20的直链状、支链状或环状的烷基、碳数6～20的芳基、碳数7～20的芳烷基、碳数2～10的羟烷基、碳数2～10的烷氧基烷基、碳数2～10的酰氧基烷基、碳数1～10的烷硫基烷基的任一种；又，R₁与R₂也可键结而形成环状结构；R₃是氢、碳数1～20的直链状、支链状或环状的烷基、碳数6～20的芳基、碳数7～20的芳烷基、碳数2～10的羟烷基、碳数2～10的烷氧基烷基、碳数2～10的酰氧基烷基、碳数1～10的烷硫基烷基、卤素基的任一种；R₄则是碳数0～20的直链状、支链状或环状的亚烷基、碳数6～20的亚芳基，

上式(3)中，R₅是碳数2～20的直链状或支链状的可取代的亚烷基，但亚烷基的碳-碳间也可含有1个或多个羰基、醚基、酯基、硫醚；又，R₆是碳数1～20的直链状、支链状或环状的亚烷基、碳数6～20的亚芳基。