[发明专利]一种采用热蒸发GeC制备石墨烯的方法

权利要求书

1.一种采用热蒸发GeC制备石墨烯的方法，其特征在于采用热蒸发GeC制备石墨烯的方法是按以下步骤完成的：

一、清洗：在频率为20KHz～35KHz的条件下依次采用丙酮、酒精和去离子水清洗单晶硅片衬底，清洗时间分别为15min～30min、15min～30min和15min～30min，即得到干净的单晶硅片衬底；二、保温处理：将步骤一得到干净的单晶硅片衬底置于磁控溅射镀膜系统内的加热台上，并将挡板推至靶的前方，然后启动真空获得系统将真空仓内抽成真空，至真空度为1.0×10^-4Pa～9.9×10^-4Pa，最后启动加热装置，将真空仓内温度调节至25℃～650℃，并保温10min～120min；三、溅射镀膜：首先将碳靶上的溅射功率调节为60W～200W、锗靶上的溅射功率调节为60W～200W、气体流量调节为10sccm～100sccm，然后进行启辉，并预溅射3min～5min，预溅射结束后将真空仓内的压强升至0.1Pa～2Pa，并将占空比调节为10％～90％，移开挡板后在碳靶上的溅射功率为60W～200W、锗靶上的溅射功率为60W～200W和气体流量为10sccm～100sccm的条件下对单晶硅片衬底表面进行溅射镀膜，溅射时间为1min～10min，关闭所有电源并随真空仓内温度降至室温，即得到GeC原料；四：灼烧：将步骤三得到的GeC原料在温度为900℃～1100℃的氩气气体保护下灼烧1h～2h，即得到石墨烯。

2.根据权利要求1所述的一种采用热蒸发GeC制备石墨烯的方法，其特征在于步骤二中启动真空获得系统将真空仓内抽至真空度为2.0×10^-4Pa～8×10^-4Pa。

3.根据权利要求1或2所述的一种采用热蒸发GeC制备石墨烯的方法，其特征在于步骤二中启动加热装置将真空仓内温度调节至100℃～400℃，并保温15min～75min。

4.根据权利要求3所述的一种采用热蒸发GeC制备石墨烯的方法，其特征在于步骤三中将碳靶上的溅射功率调节为80W～150W、锗靶上的溅射功率调节为80W～160W、气体流量调节为20sccm～70sccm，然后进行启辉。

5.根据权利要求4所述的一种采用热蒸发GeC制备石墨烯的方法，其特征在于步骤三中调节占空比为20％～50％。

6.根据权利要求5所述的一种采用热蒸发GeC制备石墨烯的方法，其特征在于步骤三中在碳靶上的溅射功率为80W～150W、锗靶上的溅射功率调节为80W～160W、气体流量调节为20sccm～70sccm的条件下对单晶硅片衬底表面进行溅射镀膜，溅射时间为2min～8min。