[发明专利]具有充电电路的无源发射应答机及用于产生用于无源发射应答机的供应电压的方法无效

专利信息
申请号: 201110443612.4 申请日: 2011-12-20
公开(公告)号: CN102545395A 公开(公告)日: 2012-07-04
发明(设计)人: 沃纳·齐格勒 申请(专利权)人: 爱特梅尔公司
主分类号: H02J17/00 分类号: H02J17/00;H02J7/34;H04B1/59
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 宋献涛
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 具有 充电 电路 无源 发射 应答 用于 产生 供应 电压 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种依据技术方案1的导言具有充电电路的无源发射应答机及一种依据技术方案11的导言用于产生用于无源发射应答机的供应电压的方法。 

背景技术

EP 1 871 648 Al描述一种在125kHz的频率范围内以电感方式操作的LF发射应答机。LF发射应答机细分为:电池支持的LF接收器,其具有用于沿三个空间方向接收的三个并联谐振电路;及以被动方式操作的防盗锁止器钥匙电路,其共享所述三个并联谐振电路中的一者且以此方式借助基站来返回数据。尤其是所述防盗锁止器钥匙电路具有仅小的范围且具有位置相依范围的事实是有害的。所述接收器还需要大量电流。另外,从链接“http://de.wikipedia.org/wiki/RFID”已知在无电池支持的情况下借助吸收调制从基站的场接收必需能量的纯无源发射应答机。鉴于此背景技术,本发明的目标是指示用来改善现有技术的一种装置及一种方法。 

此目标通过一种具有技术方案1的特征的具有充电电路的无源发射应答机及通过一种具有技术方案11的特征的用于产生供应电压的方法来解决。本发明的有利实施例为附属技术方案的主题。 

发明内容

依据本发明的第一标的物,揭示一种具有用于供应电压电容器的充电电路的无源发射应答机,其包括:第一并联谐振电路,其具有第一线圈及第一谐振电路电容器,其中所述第一线圈及所述第一谐振电路电容器与第一节点互连;第一整流器,其与所述第一节点及所述供应电压电容器互连;第二并联谐振电路,其具有基本上以正交方式对准于所述第一线圈的第二线圈及第二谐振电路电容器,其中所述第二线圈及所述第二谐振电 路电容器与第二节点互连,且其中提供有第二整流器,所述第二整流器与所述第二节点及所述供应电压电容器互连,且所述第二整流器具有与所述第一整流器相同的正向方向。 

依据本发明的第二标的物,揭示一种用于产生用于无源发射应答机的供应电压的方法,其中提供彼此并联连接的两个并联谐振电路分支,所述两个并联谐振电路分支分别借助整流器与供应电压电容器连接,且借助所述并联谐振电路中的感应电压将所述供应电压电容器充电。 

如本发明所教示的所述装置及所述方法的优点是,在不具有其自身的电池支持的电压供应的无源发射应答机中,即使在接收电路的不利对准的情况下,也可实现用于所述发射应答机的操作的充足电压供应。通过优选地借助线圈来执行吸收,在基站的近场中基本上存在电感耦合或变压器耦合。在低于5MHz的频率范围中使用此些耦合。与现有技术相比,通过相互将供应电压电容器充电的彼此呈基本上正交关系的至少两个并联谐振电路的并联连接,效率及因此范围独立于所述发射应答机的天线相对于从基站辐射的电磁场的对准。申请人的研究已展示,将所述并联谐振电路的Q因子选择为优选地高于5(最优选地,高于10)是有利的。在较高Q因子的情况下,谐振电路电压在谐振的情形下尤其强烈地增加,且即使在所吸收电磁场的低场强度的情况下,也可将供应电压电容器充分充电以给所述无源发射应答机供应能量。 

依据一开发方案,提供一种具有基本上以正交方式对准于所述第二线圈且基本上以正交方式对准于所述第一线圈的第三线圈及第三谐振电路电容器的第三并联谐振电路,其中所述第三线圈及所述第三谐振电路电容器与第三节点互连,且提供与所述第三节点及所述供应电压电容器互连的第三整流器,且其中所述第三整流器具有与所述第一整流器相同的正向方向。借助优选地彼此以正交方式对准的三个线圈,给出从所述发射应答机的任何空间位置中的电磁场的能量吸收,即,相对于所发射电磁场的方向,对所述无源发射应答机的能量供应现在事实上为全向的。 

在另一开发方案中,第一调制信号端子与所述第一节点互连且第二调制信号端子与防盗锁止单元的所述第二节点互连。根据替代实施例,第三调制信号端子与所述第三节点互连。以此方式,优选地在振幅调制的范围内,可借助防盗锁止单元从所述并联谐振电路读出在来自基站的载波上接收的经调制信号。此外,可借助使相应谐振电路衰减的防盗锁止单元来执行振幅调制。尤其在发射应答机与基站的电感耦合的情况下,以此方式可识别所述发射应答机的所发射信号并将其作为所述载波的调制来读出。依据一开发方案,优选地,将所述并联谐振电路的谐振频率形成为介于20kHz到30MHz kHz[原文 如此]的范围内,优选地处于125kHz,最优选地处于13MHz。并且,优选地,将所述三个并联谐振电路的谐振频率形成为几乎相同。 

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