[发明专利]用于制造腔结构、制造用于半导体结构的腔结构的方法和使用该方法制造的半导体传声器

权利要求书

1.一种用于制造腔结构的方法,包括：

提供第一层；

在第一层上沉积碳层；

使用第二层至少部分地覆盖碳层以限定腔结构； 

借助于干法蚀刻去除第一和第二层之间的碳层，从而形成腔结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其中覆盖执行为使得碳层的主表面和碳层的侧壁被第二层覆盖。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括在第一或第二层其中至少一个中形成用于执行碳层的干法蚀刻的开口。

4.根据权利要求1所述的方法，其中碳层的沉积在700℃至900℃之间或750℃至850℃之间的温度执行。

5.根据权利要求1所述的方法，其中碳层的沉积在1Torr至500Torr之间或90Torr至110Torr之间的压力执行。

6.根据权利要求1所述的方法，其中碳层的沉积利用被氮稀释的碳前驱物气体执行，其中总气流在1slm 和5slm之间，且其中碳前驱物气体包括20％至80％的总气流的份额。

7.根据权利要求1所述的方法，其中碳层的沉积执行为使得碳层包括20％至90％碳层的份额的石墨结构。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括在碳层和第一层之间形成至少一个第一层界面层。

9.根据权利要求1所述的方法，还包括在碳层和第二层之间形成至少一个第二层界面层。

10.根据权利要求1所述的方法，其中第一和第二层由绝缘或半导电材料制成。

11.根据权利要求1所述的方法，其中使用第二层至少部分地覆盖碳层执行为使得第二层包括形成膜的10nm至100nm之间的厚度，且使得在形成腔结构之后，第二层能够在向第一层的方向弯曲。

12.根据权利要求1所述的方法，其中通过干法蚀刻去除碳层通过使用包括与第一和第二层相比高于10的蚀刻选择性的蚀刻剂执行。

13.一种用于制造半导体结构的方法,包括：

提供包括半导体材料和牺牲材料的级间半导体结构；以及 

从级间半导体结构去除牺牲材料以形成半导体结构；其中牺牲材料由碳制成。

14.根据权利要求13所述的方法，其中牺牲层的去除通过干法蚀刻执行。

15.一种形成用于半导体器件的腔结构的方法,该方法包括： 

应用化学气相沉积（CVD）以在第一层上沉积碳层，其中化学气相沉积在700℃和900℃之间的温度和1Torr和500Torr之间的压力执行； 

使用第二层至少部分地覆盖碳层，使得腔结构由覆盖碳层的第二层和第一层的交叠部分限定；

通过干法蚀刻至少去除交叠部分中的碳层，从而形成腔结构。

16.一种形成用于半导体传声器的腔结构的方法，该方法包括：

在半导体基板的主表面上沉积导电第一膜层；

借助于化学气相沉积（CVD）在第一膜层上沉积碳层，其中化学气相沉积在700℃和900℃之间的温度和1Torr至500Torr之间的压力执行；

使用导电第二膜层至少部分地覆盖碳层，使得用于半导体层传声器的腔结构由覆盖碳层的第二膜层和第一膜层的交叠部分限定；

经由开口通过干法蚀刻碳层至少去除交叠部分中的碳层，从而形成布置在第一和第二导电膜层之间用于半导体传声器的腔结构。

17.根据权利要求14所述的方法，其中碳层的沉积利用被氮稀释的碳前驱物气体执行，其中总气流在1slm和5slm之间，且其中碳前驱物气体包括20％至80％的总气流的份额。

18.根据权利要求14所述的方法，其中第一膜层的沉积执行为使得第一膜层包括10nm至100nm之间的厚度，其中碳层的沉积执行为使得碳层包括1μm 和4μm之间的厚度，且其中碳层的覆盖使用包括10nm至100nm之间的厚度的第二膜层执行。

19.根据权利要求14所述的方法，还包括在使用第二膜层至少部分地覆盖碳层之前，在碳层的主表面中形成突起。

20.根据权利要求14所述的方法，其中使用第二膜层覆盖碳层执行为使得碳层的主表面和碳层的侧壁被第二膜层和第一膜层密封。