[发明专利]发光二极管的制造方法无效

专利信息
申请号: 201110443709.5 申请日: 2011-12-27
公开(公告)号: CN103187485A 公开(公告)日: 2013-07-03
发明(设计)人: 罗杏芬 申请(专利权)人: 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L33/48;H01L33/60
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518109 广东省深圳市宝*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种发光二极管的制造方法,其包括以下几个步骤:

步骤一,提供一个第一电极、一个第二电极及一个稳压二极管,该稳压二极管的两极分别与第一电极和第二电极连接;

步骤二,提供一模具,该模具包括下模及上模,该下模上开设形成一收容槽,该上模包括一芯件以及围绕该芯件设置的挡壁,该芯件与下模相对的表面上开设形成一凹槽;

步骤三,将第一电极、第二电极及稳压二极管设置在下模的收容槽中,然后将上模的芯件覆盖在第一电极及第二电极上,最后将挡壁围绕所述芯件设置在下模上;

步骤四,由挡壁与芯件之间的通道向下模的收容槽中注入液体成型材料,直至液体成型材料填满通道及凹槽;

步骤五,凝固成型后撤去下模和上模,基板、反射杯及挡墙一体形成,其中,芯件的凹槽中的液体成型材料凝固形成挡墙,而挡壁与芯件之间的通道中的液体成型材料凝固形成反射杯,而下模的收容槽中的液体成型材料凝固形成基板,挡墙完全包覆该稳压二极管;

步骤六,将第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片分别设置在第一、第二电极上,使两个发光二极管芯片与稳压二极管反向并联;及

步骤七,在反射杯中填充封装材料以包覆该两个发光二极管芯片。

2.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法,其特征在于:第一电极和第二电极均弯折成U形,均位于基板两相对侧。

3.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法,其特征在于:在步骤六和步骤七之间包括在第一电极和第二电极上分别形成第一、第二荧光粉层的步骤,第一、第二荧光粉层包覆该两个发光二极管芯片且位于该挡墙两侧。

4.如权利要求3所述的发光二极管的制造方法,其特征在于:第一、第二荧光粉层的出光面与挡墙的上表面齐平。

5.一种发光二极管的制造方法,其步骤包括:

步骤一,提供第一电极和第二电极;

步骤二,提供一模具,该模具包括下模及上模,该下模上开设形成一收容槽,该上模包括一芯件以及围绕该芯件设置的挡壁,该芯件与下模相对的表面上开设形成一凹槽;

步骤三,将第一电极和第二电极设置在下模的收容槽中,然后将上模的芯件覆盖在第一电极以及第二电极上,最后将上模的挡壁设置在下模的收容槽的侧壁上,并且围绕芯件,其中,该挡壁与该芯件之间具有通道;

步骤四,从挡壁与芯件之间的通道中向下模的收容槽中注入液体成型材料,直至液体成型材料填满通道及凹槽;

步骤五,凝固成型后撤去下模和上模,基板、反射杯及挡墙一体形成,其中,芯件的凹槽中的液体成型材料凝固形成挡墙,而挡壁与芯件之间的通道中的液体成型材料凝固形成反射杯,而下模的收容槽中的液体成型材料凝固形成基板,该挡墙具有一个开口,该开口的底部露出部分第一电极与第二电极;

步骤六,提供一个稳压二极管,将该稳压二极管置入该挡墙的开口内,该稳压二极管的两极分别与第一电极和第二电极连接,在该挡墙的开口顶部形成一个包覆层,使得该稳压二极管被挡墙完全包覆;

步骤七,将第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片分别设置在第一、第二电极上,使两个发光二极管芯片与稳压二极管反向并联;及

步骤八,在反射杯中填充封装材料以包覆该两个发光二极管芯片。

6.如权利要求5所述的发光二极管的制造方法,其特征在于:在步骤七和步骤八之间包括在第一电极和第二电极上分别形成第一、第二荧光粉层,第一、第二荧光粉层包覆该两个发光二极管芯片且位于该挡墙两侧。

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