[发明专利]使用温度可控的限制环的刻蚀装置有效
申请号: | 201110443713.1 | 申请日: | 2011-12-26 |
公开(公告)号: | CN103177954A | 公开(公告)日: | 2013-06-26 |
发明(设计)人: | 符雅丽;张海洋 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;H01J37/32 |
代理公司: | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人: | 董巍;顾珊 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 使用 温度 可控 限制 刻蚀 装置 | ||
1.一种使用温度可控的限制环的刻蚀装置,所述限制环包括:
限制部件,为圆环形,用于限制刻蚀气体流动范围;
控温部件,用于控制刻蚀气体的温度,
所述控温部件位于所述限制部件的外周。
2.如权利要求1所述的刻蚀装置,其特征在于,所述控温部件包括用于加热的加热管和用于冷却的冷却管。
3.如权利要求2所述的刻蚀装置,其特征在于,所述加热管由电热材料制成,加热功率为1000-5000瓦。
4.如权利要求2所述的刻蚀装置,其特征在于,所述冷却管内还设置有可热交换的制冷剂,用于精确调节并控制控温部件的温度。
5.如权利要求4所述的刻蚀装置,其特征在于,所述制冷剂是水或者其他性能稳定的液体。
6.如权利要求1所述的刻蚀装置,其特征在于,所述限制部件为悬置状态。
7.如权利要求1所述的刻蚀装置,其特征在于,所述限制部件由绝缘材料制成。
8.如权利要求1所述的限制环,其特征在于,所述限制部件由SiC制成。
9.如权利要求1所述的刻蚀装置,其特征在于,所述限制部件由耐腐蚀的无金属污染的导体材料制成。
10.如权利要求1所述的刻蚀装置,其特征在于,所述限制部件厚度为0.25-2英寸。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110443713.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:废烟支破支机构
- 下一篇:滤嘴成型机滤棒长度在线检测装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造