[发明专利]发光二极管封装结构及封装方法无效
申请号: | 201110444383.8 | 申请日: | 2011-12-27 |
公开(公告)号: | CN103187406A | 公开(公告)日: | 2013-07-03 |
发明(设计)人: | 张超雄;林厚德 | 申请(专利权)人: | 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L25/075 | 分类号: | H01L25/075;H01L33/48;H01L33/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 封装 结构 方法 | ||
1.一种发光二极管封装结构,包括支撑体、设置在支撑体上的第一基板以及第二基板,第一发光二极管及第二发光二极管,以及封装材料层,第一基板表面设置有第一电极,第二基板表面设置有第二电极,第一发光二极管设置在第一电极的表面,第二发光二极管设置在第二电极的表面,第一发光二极管及第二发光二极管的正负电极分别与第一电极及第二电极电性连接,封装材料层设置在第一电极及第二电极的表面且完全覆盖所述第一发光二极管及第二发光二极管,其特征在于,所述支撑体具有底面、第一侧面以及第二侧面,第一基板设置在第一侧面之上,第二基板设置在第二侧面之上,第一侧面与底面形成第一夹角,第二侧面与底面形成第二夹角,第一夹角与第二夹角的夹角范围在0度到90度之间。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于,所述第一电极从第一基板的上表面延伸到第一基板的侧面,所述第二电极从第二基板的上表面延伸到第二基板的侧面。
3.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于,所述第一发光二极管与第二发光二极管的峰值波长相同。
4.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于,所述封装材料层掺杂有荧光粉,该荧光粉由硫化物、硅酸盐、氮化物、氮氧化物或钇铝石榴石制成。
5.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于,所述支撑结构、第一基板及第二基板由相同材料制成,且第一基板及第二基板通过粘胶粘合至支撑结构上。
6.一种发光二极管封装方法,包括以下步骤:
提供一模具,其包括相互分离的第一部分及第二部分;
将基板设置在模具的第一部分及第二部分之上;
在基板的与模具相反的表面制作一层金属层;
切割基板以及金属层,使基板分成第一基板及第二基板,金属层分成设置在第一基板上的第一电极以及设置在第二基板上的第二电极,第一基板形成在第一部分之上,第二基板形成在第二部分之上;
将第一发光二极管及第二发光二极管分别设置在第一电极及第二电极之上,第一发光二极管及第二发光二极管的正负电极分别与第一电极及第二电极电性连接;
将模具从第一基板以及第二基板上去除;
提供一支撑体,该支撑体包括底面、第一侧面以及第二侧面,第一侧面与底面形成第一夹角,第二侧面与底面形成第二夹角,第一夹角与第二夹角的夹角范围在0度到90度之间;
将去除模具后的第一基板固定在第一侧面上,将去除模具后的第二基板固定在第二侧面上;以及
在第一电极及第二电极的表面形成一封装材料层,该封装材料层完全覆盖第一发光二极管以及第二发光二极管。
7.如权利要求6所述的发光二极管封装方法,其特征在于,所述模具的第一部分与第二部分之间形成有间隔槽,所述切割基板以及金属层的过程沿着间隔槽进行。
8.如权利要求6所述的发光二极管封装方法,其特征在于,在制作金属层的过程中,所述金属层分别延伸至基板的相对两个侧面。
9.如权利要求6所述的发光二极管封装方法,其特征在于,所述支撑体、第一基板及第二基板由相同材料制成,且第一基板及第二基板通过粘胶粘合至支撑结构上。
10.如权利要求6所述的发光二极管封装方法,其特征在于,所述封装材料层掺杂有荧光粉,该荧光粉由硫化物、硅酸盐、氮化物、氮氧化物或钇铝石榴石制成。
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