[发明专利]四进制电存储材料及其制备和应用

权利要求书

1.一种四进制电存储材料，其特征在于，所述四进制电存储材料的化学结构通式如下所示：

式中，所述R和R^*分别选自：卤素、硝基或甲氧基中的一种；其中，R₁选自：C1～C6的烷基或苯基中的一种；并且R和R^*不同。

2.权利要求1所述四进制信息存储材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)在10～35℃下，对4，4’-二氨基二苯砜进行单边保护，得到化合物1，所述化合物1的化学结构式为：

(2)以N，N-二甲基甲酰胺和水为混合溶剂，在0～10℃下，进行化合物1的重氮化反应，得到化合物1的重氮盐溶液；所述化合物1的重氮盐的化学结构式为：

(3)使用步骤(2)获得的化合物1的重氮盐对进行亲电取代反应，得到化合物2，化合物2的结构式为：

(4)将步骤(3)中的化合物2脱去保护基团，得到化合物3，所述化合物3的结构式：

(5)以N，N-二甲基甲酰胺和水为混合溶剂，在0～10℃下，进行化合物3的重氮化反应，得到化合物3的重氮盐溶液；所述化合物3的重氮盐的化学结构式为：

(6)使用步骤(5)获得的化合物3的重氮盐对进行亲电取代反应，得到化合物4，所述化合物4的化学结构式为：

3.一种四进制数据存储器件，所述四进制数据存储器件包括底电极和上电极，其特征在于，所述四进制数据存储器件还包括有机薄膜层，有机薄膜层设置在底电极和上电极之间，底电极、有机薄膜层和上电极构成三明治结构；所述有机薄膜层的材料为权利要求1所述四进制电存储材料。

4.根据权利要求3所述四进制数据存储器件，其特征在于，底电极的厚度为10-300nm；有机薄膜层的厚度为40-150nm；上电极的厚度为20-300nm。

5.根据权利要求3所述四进制数据存储器件，其特征在于，所述底电极的材料选自：ITO导电玻璃、可蒸镀金属或导电聚合物。

6.根据权利要求3所述四进制数据存储器件，其特征在于，所述上电极的材料选自：可蒸镀金属及金属氧化物。

7.应用权利要求1所述四进制电存储材料制备四进制数据存储器件的方法，包括以下步骤：在底电极上沉积上述四进制电存储材料，形成一层40-150nm的有机薄膜；再在有机薄膜上真空沉积一层上电极，制成“底电极/有机薄膜/上电极”的三明治结构器件；

所述底电极的材料选自：ITO导电玻璃、可蒸镀金属或导电聚合物；所述上电极的材料选自：可蒸镀金属及金属氧化物。