[发明专利]一种CSD法制备多孔状铁酸铋薄膜的方法无效
| 申请号： | 201110444924.7 | 申请日： | 2011-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN102557473A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 谈国强;程蒙 | 申请（专利权）人： | 陕西科技大学 |
| 主分类号： | C03C17/22 | 分类号： | C03C17/22 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710021 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 csd 法制 多孔 状铁酸铋 薄膜 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种CSD法制备多孔状铁酸铋薄膜的方法，其特征在于：包括以下步骤：
步骤1：选用ITO/glass基片为基底，将切割好的ITO/glass基片清洗干净后，用氮气吹干；
步骤2：将洁净的ITO/glass基片置于紫外光照射仪中照射20min，使基片表面达到“原子清洁度”；
步骤3：将Fe(NO3)3·9H2O和Bi(NO3)3·5H2O分别溶于乙二醇甲醚和冰醋酸中，溶解后混合形成前驱液，调节前驱液中Bi、Fe离子浓度为0.01～1.0mol/L，磁力搅拌，得到稳定的BiFeO3前驱体；
步骤4：在步骤2处理后的基片表面用步骤3得到的前驱体进行匀胶处理，匀胶结束后，干燥，重复匀胶处理几次得到设定薄膜厚度，最后快速升温到350℃预退火5min，然后在500℃退火30～120min。
2.如权利要求1所述的一种CSD法制备多孔状铁酸铋薄膜的方法，其特征在于，在步骤1中，对切割好的ITO/glass基片清洗步骤为：依次置于洗涤剂、丙酮、乙醇中超声波清洗，以除去ITO/glass基片表面的杂质，每次超声波清洗后用大量蒸馏水冲洗基片。
3.如如权利要求1所述的一种CSD法制备多孔状铁酸铋薄膜的方法，其特征在于，在所述步骤4中，匀胶速度为3000～6000r/min。
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