[发明专利]复合荧光材料及其制备方法

权利要求书

1.一组新型复合荧光材料及其制备方法，其化学组成通式为：aM1O_αN_β+γ1·bM2O_1-0.5γ2X_γ2·uRO/vA，其中M1为选自Si、B、Al、Ge、Ga、In、Sc、Ti、V、Nb、Zr、Mo、W中至少一种元素；M2为选自Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd、Hg、Li、Na、K、Rb、Cs中至少一种元素；X为选自F、Cl、Br、I中至少一种元素；R为选自Ce、Pr、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Mn中至少一种元素；A为选自Au、Ag、Pd、Pt、Rh、Ir、Ru、Os中至少一种元素；a、b、α、β、γ1、γ2、u、v为摩尔系数：0.5＜a＜4，0.5≤b＜3，0.3＜α≤2，0≤β＜1.5，0≤γ1＜0.67，0≤γ2＜2.0，0＜u≤0.5，0.001≤v＜0.55；这种复合荧光材料被发射峰值波长在300～500nm范围内的紫外-蓝绿光激发后，可以发射出峰值波长在450～600nm范围内的一个或一个以上峰值的发光光谱，能够呈现出从蓝色到橙红色的发光，应用于高效LED器件的制造。

2.根据权利要求1所述的一种复合荧光材料，其特征在于，其为以氧为主阴离子配位及存在稀土激活离子的主晶格材料与Au、Ag、Pd、Pt、Rh、Ir、Ru、Os等惰性金属元素的单质构成的复合体，惰性金属元素单质的含量在0.1～10wt.％之间。

3.根据权利要求1或2所述的复合荧光体中的Au、Ag、Pd、Pt、Rh、Ir、Ru、Os等惰性金属元素的单质，其特征在于，其以第二相微晶畴的形式存在于荧光主相晶畴结构中的主相晶畴内或晶畴边界，可以减轻荧光主相晶格的热振动，使电子跃迁中的无辐射弛豫现象减弱，而使复合荧光体的发光强度和抗热衰减能力提高。

4.根据权利要求1或2或3所述的一组复合荧光材料，其特征在于，复合体荧光主相晶格结构中的部分氧被卤素离子替代，卤素离子的替代量在0.001～1.0摩尔之间。

5.根据权利要求1或2或3所述的一组复合荧光材料，其特征在于，复合体荧光主相晶格结构中的部分氧被三价氮离子和一价卤素离子共同替代，使得结构中微晶体场环境及电子/空穴状态发生改变，而使荧光相的发射波长红移，实现发射波长的精细调节，非氧阴离子的替代范围在0.002～1.5摩尔之间。

6.根据权利要求1或2或3或4或5所述的一组复合荧光材料，其特征在于化学组成通式中的摩尔系数1＜α≤2，β＝0。

7.根据权利要求1或2或3或4或5所述的一组复合荧光材料，其特征在于化学组成通式中的摩尔系数0.3＜α＜2，0.1＜β＜1.5。

8.根据权利要求1或2或3或4或5或6所述的一种优选的复合荧光材料，其特征在于化学组成通式中M1为选自Si、B、Al、Ge、Ga、In中至少一种元素；M2为选自Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Li、Na、K中至少一种元素；X为选自F、Cl中至少一种元素；R为选自Ce、Pr、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Mn中至少一种元素；A为选自Au、Ag、Pd、Pt、Rh、Ir、Ru、Os中至少一种元素；摩尔系数：1.5≤b＜2且2.0≤b+u＜2.2及0.4＜a/(b+u)＜0.6，1＜α≤2，β＝0，0≤γ1＜0.67且α＝2-1.5γ1，0≤γ2＜0.67，0＜u≤0.5，0.001≤v＜0.37。

9.根据权利要求1或2或3或4或5或6所述的一种优选的复合荧光材料，其特征在于化学组成通式中M1为选自Si、B、Al、Ge、Ga、In中至少一种元素；M2为选自Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Li、Na、K中至少一种元素；X为选自F、Cl中至少一种元素；R为选自Ce、Pr、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Mn中至少一种元素；A为选自Au、Ag、Pd、Pt、Rh、Ir、Ru、Os中至少一种元素；摩尔系数：2.5≤b＜3且3.0≤b+u＜3.2及0.2＜a/(b+u)＜0.4，1.5＜α≤2，β＝0，0≤γ1＜0.33且α＝2-1.5γ1，0≤γ2＜0.4，0＜u≤0.5，0.001≤v＜0.52。