[发明专利]一种指数温度补偿的低温漂CMOS带隙基准电压源有效
申请号: | 201110445083.1 | 申请日: | 2011-12-27 |
公开(公告)号: | CN102495659A | 公开(公告)日: | 2012-06-13 |
发明(设计)人: | 吴建辉;张理振;温峻峰;张萌;李红;王旭东;白春风;赵强 | 申请(专利权)人: | 东南大学 |
主分类号: | G05F1/567 | 分类号: | G05F1/567 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 柏尚春 |
地址: | 214135 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 指数 温度 补偿 低温 cmos 基准 电压 | ||
1. 一种指数温度补偿的低温漂CMOS带隙基准电压源,其特征在于:该带隙基准电压源包括一阶温度补偿基准电流产生电路(1),指数温度补偿电流产生电路(2),误差放大器(3),启动电路(4)及基准电流-电压转换电路(5);
一阶温度补偿基准电流产生电路(1)的第一输入端同时与启动电路(4)的输出端及一阶温度补偿基准电流产生电路(1)的第一输出端相连,一阶温度补偿基准电流产生电路(1)的第一输出端同时与指数温度补偿电流产生电路(2)的第一输入端及误差放大器(3)的第一输入端相连,一阶温度补偿基准电流产生电路(1)的第二输出端同时与指数温度补偿电流产生电路(2)的第二输入端及误差放大器(3)的第二输入端相连,一阶温度补偿基准电流产生电路(1)的第三输出端接基准电流-电压转换电路(5)的输入端;指数温度补偿电流产生电路(2)的输出端同时与误差放大器(3)的第三输入端及启动电路(4)的输入端相连;误差放大器(3)的输出端同时与一阶温度补偿电流产生电路(1)的第二输入端及基准电流-电压转换电路(5)的输入端相连;基准电流-电压转换电路(5)的输出端即是指数温度补偿的带隙基准电压。
2.根据权利要求1所述的指数温度补偿的低温漂CMOS带隙基准电压源,其特征在于:所述的指数温度补偿电流产生电路(2)由第三NPN管(Q3)、第四NPN管(Q4)、第四PMOS管(M4)和第五PMOS管(M5)组成;第三NPN管(Q3)的基极作为指数温度补偿电流产生电路(2)的第一输入端,第三NPN管(Q3)的集电极同时与第四PMOS管(M4)的栅极和漏极相连,作为指数温度补偿电流产生电路(2)的输出端;第四NPN管(Q4)的基极作为指数温度补偿电流产生电路(2)的第二输入端,第四NPN管(Q4)的集电极同时与第四PMOS管(M4)的栅极和漏极相连;第三NPN管(Q3)的发射极和第四NPN管(Q4)的发射极接公共地端;第四PMOS管(M4)的栅极和漏极相连、第五PMOS管(M5)的栅极和漏极相连,作为自偏置电流源,第四PMOS管(M4)的源极和第五PMOS管(M5)的源极与直流电源VDD相连。
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