[发明专利]SIR同轴腔体带通滤波器无效
申请号: | 201110445684.2 | 申请日: | 2011-12-28 |
公开(公告)号: | CN102522617A | 公开(公告)日: | 2012-06-27 |
发明(设计)人: | 李国辉;胡海平;徐标平;胡金萍;程孝奇 | 申请(专利权)人: | 上海大学 |
主分类号: | H01P1/212 | 分类号: | H01P1/212 |
代理公司: | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人: | 何文欣 |
地址: | 200444*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | sir 同轴 带通滤波器 | ||
1. 一种SIR同轴腔体带通滤波器,具有由SIR基本谐振器单元耦合形成的梳状滤波器结构,所述SIR基本谐振器单元由杆状的内层金属传输线(7)、与所述内层金属传输线同轴的外层筒状金属壁(1)和中间介质层(4)三部分组成,所述中间介质层(4)位于所述内层金属传输线(7)和所述外层筒状金属壁(1)之间的谐振腔体内,所述外层筒状金属壁(1)的上下两端设置外层封盖板,将所述中间介质层(4)固定于谐振腔体中,其特征在于:所述内层金属传输线(7)是由直径不同的两段同轴传输线结合构成的 阶跃阻抗变换器SIR谐振杆,大直径的同轴传输线形成低阻抗谐振杆,小直径的同轴传输线形成高阻抗谐振杆,所述低阻抗谐振杆和高阻抗谐振杆之间的连接处形成阶跃阻抗结合面(3),所述低阻抗谐振杆的另一端形成金属传输线开路端(2),所述金属传输线开路端(2)的顶端设有开路端同轴挖孔(5),靠近所述开路端同轴挖孔(5)的开口方向设置同轴的调谐螺钉(6),所述调谐螺钉(6)连接在所述外层封盖板上,所述高阻抗谐振杆的另一端形成金属传输线短路端(13),所述梳状滤波器结构中最外侧的两个SIR基本谐振器单元的高阻抗谐振杆与SMA接头(9)电连接。
2. 根据权利要求1所述的SIR同轴腔体带通滤波器,其特征在于:在相互耦合的任意相邻的两个所述SIR基本谐振器单元之间设有开窗间隙(11),在所述开窗间隙(11)内增设耦合螺钉(12)实现容性耦合,所述耦合螺钉(12)也连接在所述外层封盖板上。
3. 根据权利要求2所述的SIR同轴腔体带通滤波器,其特征在于:所述SIR基本谐振器单元采用外方内圆同轴腔体结构,所述外层筒状金属壁(1)为方形金属壳,所述内层金属传输线(7)为圆杆状。
4. 根据权利要求3所述的SIR同轴腔体带通滤波器,其特征在于:所述筒状金属壁(1)包括四个固定的金属壁和与上下金属盖板,上下金属盖板用螺丝固定。
5. 根据权利要求2所述的SIR同轴腔体带通滤波器,其特征在于:所述调谐螺钉(6)悬伸探入所述开路端同轴挖孔(5)的深度可调,所述耦合螺钉(12)的一端也连接在所述外层封盖板上,所述耦合螺钉(12)的另一端悬伸探入开窗间隙(11)的深度也可调。
6. 根据权利要求2所述的SIR同轴腔体带通滤波器,其特征在于:所述的相邻腔体间的耦合结构和SIR基本谐振器单元是对称结构,由4个所述SIR基本谐振器单元耦合形成的梳状滤波器结构,包括两个外侧SIR基本谐振器单元(a、d)和两个中部SIR基本谐振器单元(b、c)。
7. 根据权利要求1~6中任意一项所述的SIR同轴腔体带通滤波器,其特征在于:所述SMA接头(9)的一端通过50欧姆的同轴探头(8)与所述SIR基本谐振器单元的高阻抗谐振杆电连接,所述SMA接头(9)的另一端处增设吸收性材料PML的匹配层(10)。
8. 根据权利要求1~6中任意一项所述的SIR同轴腔体带通滤波器,其特征在于:所述中间介质层(4)材料为空气或陶瓷介质。
9. 根据权利要求1~6中任意一项所述的SIR同轴腔体带通滤波器,其特征在于:各所述SIR基本谐振器单元的外层筒状金属壁(1)的内表面、所述调谐螺钉(6)镀层和所述耦合螺钉(12)镀层的材料为金、银或铜中的任意一种金属或任意几种金属的合金。
10. 根据权利要求6所述的SIR同轴腔体带通滤波器,其特征在于:所述梳状滤波器的耦合结构和SIR基本谐振器单元结构是对称结构,所述外侧SIR基本谐振器单元(a、d)与中部SIR基本谐振器单元(b、c)之间的耦合螺钉(12)长度(hab、hcd)大于两个中部SIR基本谐振器单元(b、c)之间的耦合螺钉(12)长度(hbc)。
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