[发明专利]高集成高可靠工作温度可控厚膜混合集成电路的集成方法

权利要求书

1. 一种高集成高可靠工作温度可控厚膜混合集成电路，其特征在于该电路由器件管壳基座(1)、管脚(9)、氮化铝陶瓷基片(2)、半导体芯片(3)、热敏元件(4)、厚膜阻带(5)、厚膜导带/键合区(6)、N型半导体(7)、P型半导体(8)、微型热电致冷器（11）和绝缘介质(10)组成，陶瓷基片(2)正面是微型热电致冷器(11)与常规混合集成电路的一体化集成，包括厚膜阻带(5)、厚膜导带/键合区(6)、半导体芯片(3)、N型半导体(7)、P型半导体(8)和微型元器件；N型半导体(7)、P型半导体(8)的两端引出有连接线，之间填充有绝缘介质(10)；陶瓷基片(2)背面通过金属膜置于器件管壳基座(1)之上，管脚(9)装在器件管壳基座(1)的两端。

2. 如权利要求1所述混合集成电路的集成方法，其特征包括：

(1) 取第一块氮化铝陶瓷基片（Al₃N₄），在正反面分别溅射金属薄膜，对正面金属薄膜进行刻蚀；

(2) 取第二块氮化铝陶瓷基片（Al₃N₄），在其正面分别印刷和烧结电阻浆料、电阻浆料、玻璃釉浆料，形成厚膜阻带、厚膜导带和玻璃釉绝缘保护层；

(3) 接着在其背面溅射金属膜，并进行刻蚀；

(4) 在刻蚀后的金属膜上溅射N型半导体材料，进行化学机械整平；

(5) 接着刻蚀出N型半导体；

(6) 之后溅射填充绝缘介质，并进行化学机械整平；

(7) 再溅射填充P型半导体材料并进行化学机械整平；

(8) 之后溅射金属薄膜，接着进行刻蚀；

(9) 再次溅射填充绝缘介质并进行化学机械整平和刻蚀；

(10) 再溅射金属膜并刻蚀；

(11) 与第一块基片对准焊接，形成带温控集成的厚膜基片；

(12) 将厚膜基片背面焊接在器件管壳基座上；

(13) 最后在厚膜基片的正面集成其他芯片或元件，进行键合、测试、封帽，即得到高集成高可靠工作温度可控厚膜混合集成电路。