[发明专利]微加热装置

权利要求书

1.一种微加热装置，其特征在于，包括：

半导体衬底，位于所述半导体衬底上的待检测器件，位于所述半导体衬底表面的层间介质层；

位于所述半导体衬底和层间介质层内的导热沟槽，所述导热沟槽围绕所述待检测器件设置；

位于所述层间介质层内的加热结构，所述加热结构与导热沟槽相连接，所述加热结构产生热量且将热量传导到导热沟槽中，利用所述导热沟槽为待检测器件加热。

2.如权利要求1所述的微加热装置，其特征在于，所述导热沟槽的图形为同心环，所述同心环至少包括一个环，所述待检测器件位于所述同心环导热沟槽的中心。

3.如权利要求2所述的微加热装置，其特征在于，所述导热沟槽的图形为断开的同心环，每个环断开至少分成两个部分，每个部分分别与加热结构相连接。

4.如权利要求1所述的微加热装置，其特征在于，所述导热沟槽的图形为螺旋形，所述待检测器件位于所述螺旋形导热沟槽的中心。

5.如权利要求4所述的微加热装置，其特征在于，所述导热沟槽的图形为断开的螺旋形，所述螺旋形导热沟槽断开至少分成两个部分，每个部分分别与加热结构相连接。

6.如权利要求1所述的微加热装置，其特征在于，所述加热结构包括加热部分和热传导部分，所述加热部分为互连线，所述热传导部分为与所述互连线相连接且与导热沟槽相连接的金属互连层。

7.如权利要求6所述的微加热装置，其特征在于，所述互连线的两端与外部控制电路电学连接，通过在所述互连线的两端施加加热电流，使得所述互连线产生热量。

8.如权利要求6所述的微加热装置，其特征在于，所述互连线的形状为S型。

9.如权利要求3或5所述的微加热装置，其特征在于，一个加热结构分别与导热沟槽的两个断开的部分相连接。

10.如权利要求3或5所述的微加热装置，其特征在于，一个加热结构对应地与导热沟槽的一个断开的部分相连接。

11.如权利要求1所述的微加热装置，其特征在于，所述导热沟槽内的导热材料为铜。

12.如权利要求6所述的微加热装置，其特征在于，所述互连线的材料为铜、铝或多晶硅。

13.如权利要求6所述的微加热装置，其特征在于，所述金属互连层的材料为铜或铝。

14.如权利要求1所述的微加热装置，其特征在于，所述待检测器件为MOS晶体管、存储器件、发光器件、电容、电感、电阻、导电互连线或集成电路。

15.如权利要求1所述的微加热装置，其特征在于，所述待检测器件上连接有导电插塞和导电互连层，利用所述导电插塞和导电互连层使得所述待检测器件与外部检测电路电学连接。