[发明专利]曝光方法、曝光装置、组件制造方法、以及膜的评估方法无效
申请号: | 201110446843.0 | 申请日: | 2006-04-25 |
公开(公告)号: | CN102520592A | 公开(公告)日: | 2012-06-27 |
发明(设计)人: | 长坂博之 | 申请(专利权)人: | 株式会社尼康 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 任默闻 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 曝光 方法 装置 组件 制造 以及 评估 | ||
本专利申请是申请日为2006年4月25日、申请号为200680010913.5、发明名称为“曝光方法、曝光装置、组件制造方法、以及膜的评估方法”的中国专利申请的分案申请。
技术领域
本发明有关于一种透过液体使基板曝光的曝光方法、曝光装置、组件制造方法、以及膜的评估方法。
本案基于2005年4月27日所提出申请的日本特愿2005-129517号案、以及2005年7月21日所提出申请的日本特愿2005-211319号案主张优先权,而将其内容援用于本文中。
背景技术
半导体组件或液晶显示组件等微组件制造工艺之一的光刻步骤中,采用将掩膜上所形成的图案投影曝光在感旋光性基板上的曝光装置。此曝光装置,具有用以保持掩膜的掩膜载台、以及用以保持基板的基板载台,一边使掩膜载台与基板载台依序移动、一边透过投影光学系统将掩膜图案投影曝光在基板。在微组件的制造中,为了达成组件的高密度化,要求于基板上所形成的图案的微细化。为了因应此要求,故希望曝光装置可更进一步高分辨率化,用以实现该高分辨率化的方法之一,如下述专利文献1所揭示的液浸曝光装置,于基板上形成液体的液浸区域,透过该液浸区域的液体来使基板曝光。
[专利文献1]国际公开第99/49504号说明书。
然而,为曝光对象的基板表面所设置的光刻胶膜、或是其上层所设置的覆涂膜等通常使用各种材料,但是作为与液浸区域液体的接触面的膜种类变更时,依膜的种类,可能无法将曝光用光的光路上的液体维持在所希望状态。此种情况下,会产生液浸曝光装置的通用性显著降低的问题。
发明内容
本发明鉴于上述问题所完成,其目的在于提供一种可对于设置不同种类膜的基板分别良好地进行液浸曝光的曝光方法、曝光装置、以及组件制造方法
为了解决上述课题,本发明采用与实施方式所示各图相对应的以下构成。其中,附于各要件的带括号符号仅为该要件的例示,而并非用来限定各要件者。
根据本发明的第1方案,提供一种曝光方法,于基板P上形成液体LQ的液浸区域LR,透过液浸区域LR的液体LQ将曝光用光EL照射于基板P上来使基板P曝光;并根据在基板P表面与液体LQ之间所作用的附着力来决定使基板P曝光时的曝光条件。
根据本发明的第1方案,由于根据在基板表面与液体之间所作用的附着力来决定使基板曝光时的曝光条件,故不论表面的膜种类为何都可对基板良好地进行液浸曝光。
根据本发明的第2方案,提供一种曝光方法,于基板P上形成液体LQ的液浸区域LR,透过液浸区域LR的液体LQ将曝光用光EL照射于基板P上来使基板P曝光;并根据液体LQ于基板P表面的静态接触角及液体LQ于基板P表面的滑落角来决定使基板P曝光时的曝光条件。
根据本发明的第2方案,由于根据液体于基板表面的静态接触角与滑落角来决定使基板曝光时的曝光条件,故不论表面的膜种类为何都可对基板良好地进行液浸曝光。
根据本发明的第3方案,提供一种曝光方法,于基板P上形成液体LQ的液浸区域LR,透过液浸区域LR的液体LQ将曝光用光EL照射于基板P上来使基板P曝光;并根据将基板P表面倾斜时的基板P表面与液体LQ的后退接触角来决定使基板P曝光时的曝光条件。
根据本发明的第3方案,由于根据将基板表面倾斜时的基板表面与液体的后退接触角来决定使基板曝光时的曝光条件,故不论表面的膜种类为何都可对基板良好地进行液浸曝光。
根据本发明的第4方案,提供一种组件制造方法,该方法使用上述方案的曝光方法。
根据本发明的第4方案,不论表面的膜种类为何都可对基板良好地进行液浸曝光,故可制造具有所欲性能的组件。
根据本发明的第5方案,提供一种曝光装置EX,于基板P上形成液体LQ的液浸区域LR,透过液浸区域LR的液体LQ将曝光用光EL照射于基板P上来使基板P曝光,该曝光装置EX具备测量装置60,以测量在基板P表面与液体LQ之间所作用的附着力。
根据本发明的第5方案,由测量在基板表面与液体之间所作用的附着力,而可根据该测量结果,不论表面的膜种类为何都可对基板良好地进行液浸曝光。
根据本发明的第6方案,提供一种曝光装置EX,于基板P上形成液体LQ的液浸区域LR,透过液浸区域LR的液体LQ将曝光用光EL照射于基板P上来使基板P曝光;该曝光装置(EX)具备测量装置60,以测量将基板P表面倾斜时的基板P表面与液体LQ的后退接触角。
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