[发明专利]半导体器件、半导体存储器件及其操作方法无效

专利信息
申请号: 201110447057.2 申请日: 2011-12-28
公开(公告)号: CN102543941A 公开(公告)日: 2012-07-04
发明(设计)人: 金中植;李东奕;李镐哲;柳长佑 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L23/52 分类号: H01L23/52;H01L25/065;H01L27/105
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 邵亚丽
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 半导体器件 半导体 存储 器件 及其 操作方法
【权利要求书】:

1.一种用于半导体封装的半导体器件,该半导体器件包括:

至少第一半导体芯片,其包括第一温度传感器电路,该第一温度传感器电路被配置成输出与第一半导体芯片相关的第一温度信息;

第一凸起,其电连接到第一温度传感器电路而不电连接到贯通衬底通路;以及

第二凸起,其电连接到第一半导体芯片的贯通衬底通路。

2.如权利要求1所述的半导体器件,其中,所述第一温度信息基于第一半导体芯片的温度。

3.如权利要求1所述的半导体器件,还包括:

至少第二半导体芯片,其堆叠在第一半导体芯片上,其中,该第二半导体芯片与第一半导体芯片相同。

4.如权利要求3所述的半导体器件,还包括:

堆叠在第一半导体芯片上的至少第三半导体芯片和第四半导体芯片,其中,所述第三半导体芯片和第四半导体芯片中的每一个与第一半导体芯片相同。

5.如权利要求1所述的半导体器件,还包括:

封装衬底,

其中,所述第一凸起和第二凸起将第一半导体芯片电连接到该封装衬底。

6.如权利要求1所述的半导体器件,还包括:

堆叠在第一半导体芯片上的第二半导体芯片,

其中,所述第二半导体芯片包括电连接到贯通衬底通路的第二温度传感器电路。

7.如权利要求6所述的半导体器件,其中:

所述第一凸起和第二凸起电连接到封装衬底而未经贯通衬底通路;并且

所述第二温度传感器电路通过至少一个贯通衬底通路电连接到封装衬底。

8.一种半导体封装,包括:

封装衬底;以及

在封装衬底上的第一半导体芯片,该第一半导体芯片包括多个贯通衬底通路,用于向封装衬底传送信号,

其中,所述第一半导体芯片包括第一温度传感器电路,其电耦合到封装衬底,并且

所述第一半导体芯片被配置成不利用贯通衬底通路将温度信息从第一温度传感器电路传送到封装衬底。

9.一种半导体器件,包括:

堆叠排列的多个半导体芯片;以及

第一组多个贯通衬底通路,所述第一组多个贯通衬底通路中的每一个位于多个半导体芯片中的相应的一个半导体芯片中,其中,所述第一组多个贯通衬底通路垂直对齐成第一叠贯通衬底通路,

其中,所述多个半导体芯片中的第一半导体芯片包括第一温度传感器电路,该第一温度传感器电路耦合到所述第一组多个贯通衬底通路中的至少一个。

10.如权利要求9所述的半导体器件,其中:

所述多个半导体芯片中的第二半导体芯片包括第二温度传感器电路。

11.如权利要求10所述的半导体器件,其中:

第一半导体芯片和第二半导体芯片具有相同的电路布局。

12.如权利要求10所述的半导体器件,其中:

所述第一温度传感器电路和第二温度传感器电路都耦合到所述第一叠贯通衬底通路。

13.如权利要求12所述的半导体器件,其中,所述第一温度传感器电路和第二温度传感器电路都被配置成将温度信息传送到第一叠贯通衬底通路,并且还包括:

选择电路,其被配置成在第一温度传感器电路和第二温度传感器电路之间进行选择以将温度信息输出到所述第一叠贯通衬底通路。

14.如权利要求13所述的半导体器件,其中:

所述选择电路包括第一熔丝单元和第二熔丝单元,所述第一熔丝单元和第二分别耦合到第一半导体芯片和第二半导体芯片。

15.如权利要求13所述的半导体器件,其中:

所述选择电路在制造阶段被构造,并且在制造完成后不能被改变。

16.如权利要求13所述的半导体器件,其中:

所述选择电路包括连接到控制器的电路,该电路被配置成从控制器接收一个或多个信号,所述选择电路响应于所述一个或多个信号在所述第一温度电路和第二温度电路之间进行选择。

17.如权利要求13所述的半导体器件,其中:

所述选择电路连接到一叠贯通衬底通路以接收一个或多个信号。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110447057.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top