[发明专利]一种实现同步高频调制的方法及装置无效
| 申请号： | 201110447671.9 | 申请日： | 2011-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN102427251A | 公开（公告）日： | 2012-04-25 |
| 发明（设计）人： | 邓均平 | 申请（专利权）人： | 东莞市凯登能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H02J3/38 | 分类号： | H02J3/38;H02M7/497 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省东莞市长安镇新*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 实现 同步 高频 调制 方法 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种实现同步高频调制的方法，其特征在于，包括：
S1.将逆变器产生的产流电整流成半周波的第一交流电；
S2.生成与所述的第一交流电相同频率的半周波的第二交流电；
S3.将所述的第一交流电与第二交流电合成第三交流电输出至电网。
2.根据权利要求1所述的实现同步高频调制的方法，其特征在于，所述的频率范围为80Hz～120Hz。
3.根据权利要求2所述的实现同步高频调制的方法，其特征在于，所述的频率为100Hz。
4.根据权利要求1所述的实现同步高频调制的方法，其特征在于，所述的合成为MOSFET全桥合成。
5.一种实现同步高频调制的装置，用于实现权利要求1所述的方法，其特征在于，包括：
交流电整流单元，用于将逆变器产生的产流电整流成半周波的第一交流电；
交流电生成单元，用于生成与所述的第一交流电相同频率的半周波的第二交流电；
交流电合成单元，与所述的交流电整流单元及交流电生成单元相连，用于将所述的第一交流电与第二交流电合成第三交流电输出至电网。
6.根据权利要求5所述的实现同步高频调制的装置，其特征在于，所述的频率范围为80Hz～120Hz。
7.根据权利要求6所述的实现同步高频调制的装置，其特征在于，所述的频率为100Hz。
8.根据权利要求5所述的实现同步高频调制的装置，其特征在于，所述的合成为MOSFET全桥合成。
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