[发明专利]一种MBE同质外延生长SrTiO3薄膜的方法有效
| 申请号： | 201110447762.2 | 申请日： | 2011-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN102492985A | 公开（公告）日： | 2012-06-13 |
| 发明（设计）人： | 杨芳;汪志明;冯加贵;郭建东 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | C30B25/16 | 分类号： | C30B25/16;C30B25/20;C30B29/32 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mbe 同质 外延 生长 srtio sub 薄膜 方法 | ||
1.一种MBE同质外延生长SrTiO3薄膜的方法，包括：
1)在氧气氛中于SrTiO3衬底的(110)面上共沉积Ti和Sr，同时对样品进行反射式高能电子衍射的原位实时监测；
2)根据反射式高能电子衍射的特征衍射条纹的图案的变化来调整Sr束流和Ti束流的比例，使SrTiO3薄膜表面的重构始终围绕SrTiO3衬底表面的重构进行转换。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述特征衍射条纹表征SrTiO3薄膜表面的重构。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述特征衍射条纹为[001]方向或[1-10]方向的衍射条纹。
4.根据权利要求1所述的方法，其中步骤2)中，通过控制Sr源挡板和Ti源挡板之一的开与关来调整Sr束流和Ti束流的比例。
5.根据权利要求1所述的方法，其中步骤2)中，通过控制Sr源和Ti源的温度来调整Sr束流和Ti束流的比例。
6.根据权利要求1所述的方法，其中在步骤1)中，使Sr束流快于Ti束流，Sr束流与Ti束流的比例在1.5至3之间。
7.根据权利要求1所述的方法，其中在步骤1)中，使Ti束流快于Sr束流，Ti束流与Sr束流的比例在1.5至3之间。
8.根据权利要求4所述的方法，其中在步骤1)中，当控制Sr源挡板的开与关来调整Sr束流和Ti束流的比例时，使Sr束流快于Ti束流。
9.根据权利要求4所述的方法，其中在步骤1)中，当控制Ti源挡板的开与关来调整Sr束流和Ti束流的比例时，使Ti束流快于Sr束流。
10.根据权利要求1所述的方法，其中在步骤2)中，如果在(4×1)重构的衬底表面上生长SrTiO3薄膜，则使薄膜表面的重构以(4×1)重构-(5×1)重构-(4×1)重构-(2×8)重构-(4×1)重构-(5×1)的顺序转换。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院物理研究所，未经中国科学院物理研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110447762.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
