[发明专利]一种复合结构的有机薄膜晶体管无效

申请号：	201110447806.1	申请日：	2011-12-28
公开（公告）号：	CN102544369A	公开（公告）日：	2012-07-04
发明（设计）人：	陈跃宁;徐征;赵谡玲;尹飞飞	申请（专利权）人：	北京交通大学
主分类号：	H01L51/10	分类号：	H01L51/10;H01L51/30
代理公司：	暂无信息	代理人：	暂无信息
地址：	100044 北***	国省代码：	北京;11
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摘要：
搜索关键词：	一种复合结构有机薄膜晶体管
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【权利要求书】：

1.一种复合结构的有机薄膜晶体管，该晶体管包括：基底(101)、底栅电极(102)、底栅绝缘层(103)、源电极(104)、漏电极(105)、有机半导体层(106)；在基底(101)上依次为底栅电极(102)、底栅绝缘层(103)、源电极(104)、漏电极(105)、有机半导体层(106)，若基底(101)采用重掺杂N⁺⁺硅片，兼作底栅电极(102)；其特征是：

在所述的有机半导体层(106)上制作顶栅绝缘层(107)、顶栅电极(108)。

2.根据权利要求1所述的复合结构的有机薄膜晶体管，其特征在于：

所述的頂栅绝缘层(107)是通过旋涂方法制成300nm厚薄膜，所用材料包括：poly-vinyl-pyrrolidone或poly-methly-methacrylate，其结构式如下：

3.根据权利要求1所述的复合结构的有机薄膜晶体管，其特征在于：

所述的頂栅电极(108)的材料为：AI、Au、Cu、C、氧化铟锡导电薄膜或氧化锌锡导电薄膜。

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