[发明专利]圆片级封装结构中的重布线层的制备方法及形成的结构无效

申请号：	201110448249.5	申请日：	2011-12-28
公开（公告）号：	CN103187312A	公开（公告）日：	2013-07-03
发明（设计）人：	朱春生;罗乐;徐高卫;宁文果	申请（专利权）人：	中国科学院上海微系统与信息技术研究所
主分类号：	H01L21/48	分类号：	H01L21/48;H01L23/498
代理公司：	上海光华专利事务所 31219	代理人：	李仪萍
地址：	200050 ***	国省代码：	上海;31
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摘要：
搜索关键词：	圆片级封装结构中的布线制备方法形成
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【说明书】：

技术领域

本发明涉及集成电路领域，特别是涉及一种圆片级封装结构中的重布线层的制备方法及形成的结构。

背景技术

圆片级封装(WLP)是一种在圆片上采用圆片加工工艺完成的一种圆片级IC封装技术，这和传统封装有明显区别。重布线WLP是指利用二级钝化层(薄膜聚合物)和金属层将芯片周围布局的焊盘重分布成面阵列布局，然后制作互连凸点，在圆片上加工出IC互连接口，利用该互连接口进行测试、老化、再分割圆片，直接得到IC成品。常用BCB或聚酰亚胺(PI)作为介质层材料，铝或铜作为重分布金属，采用溅射淀积凸点的底部金属层(UBM)，丝网印刷法或电镀法制作焊料凸点并回流。重布线WLP提供了一种完整的封装方案，包含了电互连、机械保护、热管理和环境保护等所要求的封装功能，同时无论是制造还是组装，都不需要额外的管芯级工序。在合适的制造条件和产量下，WLP可以显著降低成本，具有很大的经济优势。

在现有重布线WLP中，重布线层的制作采用集成电路前端制作工艺，即薄膜沉积技术、光刻等。有机介质层(常为BCB或聚酰亚胺)多采用旋涂的方法进行制作。这种工艺具有内在局限性，例如，在圆片表面旋涂有机介质层会引起较大的内应力，进而导致很大的圆片翘曲，随着圆片尺寸的不断增大，翘曲也会越来越严重，这不仅对工艺线中自动化操作带来巨大挑战，也对凸点尺寸和节距进一步减小带来了阻碍。而且，旋涂之后的有机介质层需要高温固化，可能与其他工艺不兼容。此外，通过旋涂工艺制作的有机介质层只可以实现焊盘的重布线，无法在其中集成其他诸如无源电容、电阻，电磁屏蔽层，MEMS器件等器件。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种基于介质薄膜来制备圆片级封装结构中的重布线层的方法，以减小圆片级封装时的圆片内应力和翘曲，提高封装可靠性。

本发明的另一目的在于提供一种圆片内应力和翘曲小的圆片级封装结构。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种基于介质薄膜来制备圆片级封装结构中的重布线层的方法，其至少包括步骤：

1)将预制的介质薄膜黏贴在已涂覆粘附剂的待封装的圆片表面；

2)基于所述待封装的圆片表面的电气连接点的数量在所述介质薄膜表面制作重布线导线层，形成相应数量的相互隔离的导电区域，且使每一个导电区域电气连接一个电气连接点；

所述方法还包括步骤：在每一个导电区域表面形成一个导电凸点。

优选地，所述方法还包括步骤：

3)将又一预制的介质薄膜黏贴在已涂覆粘附剂的在已形成导电区域的结构表面；

4)基于所述已形成导电区域的结构表面的导电区域的数量，在所述又一介质薄膜表面制作重布线导线层，形成相应数量的相互隔离的导电区域，且使所述又一介质薄膜相对两面的导电区域形成对应电气连接。

优选地，所述方法还包括：基于已形成的结构至少一次重复步骤3)及4)。

优选地，所述介质薄膜层包括具有电子元器件结构的介质薄膜层。