[发明专利]一种双层多晶硅栅的制造方法有效
| 申请号： | 201110448357.2 | 申请日： | 2011-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN103187254A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 潘光燃 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 双层 多晶 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种双层多晶硅栅的制造方法，应用于一待处理集成电路，其特征在于，所述制造方法包括：
在所述待处理集成电路的氧化硅上淀积氮化硅；
各向异性刻蚀所述氮化硅，在所述待处理集成电路的第一层多晶硅栅侧壁形成氮化硅侧墙；
制作第二层多晶硅栅；以及
漂洗所述氮化硅侧墙。
2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述各向异性刻蚀所述氮化硅具体为使用等离子体干法垂直向下刻蚀。
3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述氮化硅的厚度为1000～3000埃。
4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述制作第二层多晶硅栅具体包括：
在所述待处理集成电路的有源区的表面和所述第一层多晶硅栅上生长第二层栅氧；
在所述第二层栅氧上淀积第二层多晶硅；以及
刻蚀所述第二层多晶硅形成所述第二层多晶硅栅。
5.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述各向异性刻蚀所述氮化硅之前还对所述待处理集成电路的掺杂区进行热处理。
6.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述热处理为高温推结。
7.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述高温推结的温度为1050～1150摄氏度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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