[发明专利]基座、化学气相沉积设备和基板加热方法

说明书

本申请要求于2010年12月23日在韩国知识产权局提交的第10-2010-0133341号韩国专利申请的优先权，该申请的公开通过引用包含于此。

技术领域

本发明涉及一种基座(susceptor)和一种化学气相沉积(CVD)设备，更具体地，涉及允许对半导体生长基板均匀加热的一种用于CVD设备的基座以及一种包括该基座的CVD设备。

背景技术

近来，根据对微型LED的开发和高效LED产量，金属有机化学气相沉积(MOCVD)作为多种化学气相沉积(CVD)技术中的一种开始受到关注。

MOCVD是用于化合物半导体的多种CVD气相生长方法中的一种，其中，金属化合物通过有机金属中的热分解反应沉积在半导体基板上并且反应气体穿过受热晶片产生反应材料薄膜的化学气相沉积，因此，可通过连续工艺在晶片上形成多个层。

此时，在晶片的整个表面上形成具有均匀厚度的薄膜是必要的。因此，控制加热晶片时的温度以使整体均匀受热可能会更重要。

发明内容

本发明的一方面提供了一种基座和一种化学气相沉积(CVD)设备，所述基座和CVD设备即使在当加热安装在基座上的基板时在基板中发生弓形效应的情况下也能够均匀地加热基板，从而在基板上生长高质量的半导体。

根据本发明的一方面，提供了一种用于CVD设备的基座，所述基座包括：基座本体，具有与其下表面相对的上表面并且由透光材料形成，基座本体的上表面具有至少一个被形成为在其内容纳基板的袋状部分；吸光单元，在基座本体的上表面上由吸光材料形成。

所述袋状部分可包括底部和沿形成在向上的方向与所述底部分隔开的位置处的阶梯部，可在所述阶梯部上支撑所述基板的边缘。

所述阶梯部可形成在基座本体中或者在吸光单元的形成为延伸到袋状部分的端部处。

所述透光材料可为选自于由石英、蓝宝石和透明陶瓷组成的组中的至少一种。

所述吸光材料可为选自于由石墨、SiC和涂覆有SiC的石墨组成的组中的至少一种。

所述吸光材料可吸收波长为400nm至100μm的光。

根据本发明的另一方面，提供了一种CVD设备，所述CVD设备包括：室；用于CVD设备的基座，置于所述室内并且包括基座本体和发光单元，所述基座本体具有与其下表面相对的上表面并且由透光材料形成，所述基座本体的上表面具有至少一个形成为在其内容纳基板的袋状部分，所述吸光单元在所述基座本体的上表面上由吸光材料形成；以及加热灯，发射光以加热基座的下表面。

所述袋状部分可包括底部和形成在沿向上的方向与所述底部分隔开的位置处的阶梯部，可在所述阶梯部上支撑所述基板的边缘。

所述基板可被设置为与吸光层粘合性地结合或者与吸光层分离地形成。

所述袋状部分可包括在其内支撑基板的阶梯部以及底部，并且所述袋状部分的底部可与所述阶梯部分隔开给定的间隔。

所述阶梯部可形成在基座本体中或者在吸光单元的形成为延伸到袋状部分的端部处。

所述吸光材料可吸收波长为400nm至100μm的光。

所述透光材料可为选自于由石英、蓝宝石和透明陶瓷组成的组中的至少一种。

所述吸光材料可为选自于由石墨、SiC和涂覆有SiC的石墨组成的组中的至少一种。

CVD设备还包括在基板的下表面上由吸光材料形成的吸光层，其中，所述吸光层可通过层压具有不同热膨胀系数的多层材料来形成。

根据本发明的另一方面，提供了一种通过使用CVD设备加热基板的方法，所述方法包括：布置用于CVD设备的基座，所述基座包括基座本体和吸光单元，所述基座本体具有与其下表面相对的上表面并且由透光材料形成，所述吸光单元在所述基座本体上表面上由吸光材料形成，所述上表面具有至少一个形成为在其内容纳基板的袋状部分；在由透光材料形成的基板的下表面上形成由吸光材料形成的吸光层；将其下表面上形成有吸光层的基板安装在袋状部分中，并且将安装好的基板设置在所述CVD设备的室内；向基座本体的下表面照射光以对基座本体的下表面提供热量。

所述基板可由选自于由石英、蓝宝石和透明陶瓷组成的组中的至少一种形成。

所述基板可被设置为在其下表面上沉积吸光层或者将吸光层粘合到其下表面。

可通过层压具有不同热膨胀系数的多层材料来形成所述吸光层。