[发明专利]热处理装置无效
申请号: | 201110448709.4 | 申请日: | 2011-12-28 |
公开(公告)号: | CN102569131A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 泽田郁夫;保坂重敏 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H05B6/10 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 热处理 装置 | ||
1.一种热处理装置,其是用于对多张基板实施热处理的热处理装置,其特征在于,
该热处理装置包括:
处理容器,其用于收容被实施热处理的多张基板;
基板保持构件,其对多张基板以在上下方向上排列的状态进行保持并相对于上述处理容器内插入或退出;
感应加热线圈,其用于通过在上述处理容器内形成感应磁场而进行感应加热;
高频电源,其用于对上述感应加热线圈施加高频电;
感应发热体,其具有螺旋状部,以与上述多张基板分别重叠的方式设在上述处理容器内,并因感应电流在该感应发热体中流动而发热,该感应电流是由于对上述感应加热线圈施加上述高频电而产生的。
2.根据权利要求1所述的热处理装置,其特征在于,
上述处理容器由电介体构成,上述感应加热线圈卷绕在上述处理容器的外周。
3.根据权利要求1或2所述的热处理装置,其特征在于,
上述基板保持构件具有用于分别保持上述多张基板的多个基板保持部。
4.根据权利要求3所述的热处理装置,其特征在于,
上述基板保持构件分别以上述感应发热体和上述多张基板被交替保持的方式保持上述感应发热体。
5.根据权利要求3所述的热处理装置,其特征在于,
上述基板保持构件保持上述感应发热体,且上述感应发热体起到作为基板保持部的作用。
6.一种热处理装置,其是用于对基板实施热处理的热处理装置,其特征在于,
该热处理装置包括:
处理容器,其用于收容被实施热处理的基板;
基板保持构件,其用于将1张或者两张以上的基板保持在上述处理容器内;
感应加热线圈,其用于通过在上述处理容器内形成感应磁场而进行感应加热;
高频电源,其用于对上述感应加热线圈施加高频电;
感应发热体,其具有螺旋状部,以与基板对应的方式设在上述处理容器内,并因感应电流在该感应发热体中流动而发热,该感应电流是由于对上述感应加热线圈施加上述高频电而产生的。
7.根据权利要求6所述的热处理装置,其特征在于,
上述处理容器由电介体构成,上述感应加热线圈设在上述处理容器的外侧。
8.根据权利要求7所述的热处理装置,其特征在于,
上述基板保持构件是用于将1张或者两张以上的基板载置在一个平面上的基板载置台。
9.根据权利要求8所述的热处理装置,其特征在于,
上述感应发热体设在上述基板载置台的下方的与被载置于上述基板载置台的基板相对应的位置。
10.根据权利要求6~9中的任意一项所述的热处理装置,其特征在于,
上述感应加热线圈呈平面状卷绕在上述处理容器的顶壁上。
11.根据权利要求1~10中的任意一项所述的热处理装置,其特征在于,
上述感应发热体包括呈螺旋状的主体和用于将上述主体的中央端与外周端连接的返回部。
12.根据权利要求11所述的处理装置,其特征在于,
上述返回部的导电率或者截面积、或者导电率和截面积这双方比上述主体的导电率或者截面积、或者导电率和截面积这双方大。
13.根据权利要求1~10中的任意一项所述的热处理装置,其特征在于,
上述感应发热体由以下方式构成:具有两个螺旋状体、且以在将这两个螺旋状体的中央端彼此连接并将外周端彼此连接时、感应电流在这两个螺旋状体中沿相同的方向流动的方式将这两个螺旋状体重叠配置。
14.根据权利要求13所述的热处理装置,其特征在于,
两个螺旋状体呈相同形状、且以彼此螺旋方向相反的方式重叠。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造