[发明专利]薄膜形成方法及薄膜形成装置

权利要求书

1.一种薄膜形成方法，其特征在于，

该薄膜形成方法包括：

装载工序，将被处理体收容到被加热到装载温度的反应室内；

薄膜形成工序，将在上述装载工序中收容了被处理体的反应室内加热到成膜温度之后，向该反应室内供给成膜用气体而在被处理体上形成薄膜；

在上述装载工序中，将上述装载温度设定为比上述成膜温度高的温度。

2.根据权利要求1所述的薄膜形成方法，其特征在于，

在上述薄膜形成工序中，在被处理体上形成硅氧化膜。

3.根据权利要求2所述的薄膜形成方法，其特征在于，

上述硅氧化膜形成工序包括：

硅吸附工序，向上述反应室内供给硅源气体，使硅吸附于上述被处理体；

氧化膜形成工序，向上述反应室内供给氧化气体，将在上述硅吸附工序中吸附的硅氧化，在上述被处理体上形成硅氧化膜；

将上述硅吸附工序和上述氧化膜形成工序重复多次，在被处理体上形成硅氧化膜。

4.根据权利要求3所述的薄膜形成方法，其特征在于，

在上述硅吸附工序中，将上述反应室内加热到第1成膜温度；

在上述氧化膜形成工序中，将上述反应室内加热到第2成膜温度；

在上述装载工序中，将装载温度设定为比上述第1成膜温度高的温度。

5.根据权利要求3所述的薄膜形成方法，其特征在于，

在上述硅吸附工序中，上述硅源气体采用1价或2价的氨基硅烷气体。

6.一种薄膜形成装置，其特征在于，

该薄膜形成装置包括：

反应室，其用于收容被处理体；

加热部件，其用于将上述反应室内加热到规定的温度；

成膜用气体供给部件，其用于向上述反应室内供给成膜用气体；

控制部件，其用于控制装置的各部；

上述控制部件进行如下控制：

控制上述加热部件，将上述反应室内加热到装载温度，之后，将被处理体收容到该反应室内；

控制上述加热部件，将上述反应室内加热到成膜温度，之后，控制上述成膜用气体供给部件，向该反应室内供给成膜用气体，在被处理体上形成薄膜；

将上述装载温度设定为比上述成膜温度高的温度。