[发明专利]一种新型聚合物基电磁屏蔽薄膜或片材及其制备方法无效
申请号: | 201110449482.5 | 申请日: | 2011-12-29 |
公开(公告)号: | CN102555375A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 李姜;郭少云;喻琴 | 申请(专利权)人: | 四川大学 |
主分类号: | B32B27/06 | 分类号: | B32B27/06;B32B27/18;B29B9/06;B29C47/06;B29L7/00 |
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地址: | 610065 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 新型 聚合物 电磁 屏蔽 薄膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种聚合物基电磁屏蔽薄膜或片材,其特征在于:(1)该材料由导电层A和绝缘层B以交替层状的结构叠合而成;(2)材料中存在至少一层连续的层状界面;(3)导电层A和绝缘层B的高分子基体均为高分子树脂C;(4)导电层A添加了二维片状导电物质D,绝缘层B不添加填料。
2.按照权利要求1所述聚合物基电磁屏蔽薄膜或片材,其特征在于绝缘层B和导电层A的电阻率之比大于104;二维片状导电物质D的长厚比大于5,而且平行于层状界面;薄膜或片材的厚度为0.05-5mm。
3.按照权利要求1或2所述聚合物基电磁屏蔽薄膜或片材,其特征在于高分子树脂C为聚乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯、聚苯乙烯、聚酰胺、聚碳酸酯、丙烯晴-丁二烯-苯乙烯共聚物、聚甲基丙烯酸甲酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、合成橡胶或聚氨酯中的一种;二维片状导电物质D为铜片、镍片、石墨、石墨烯中的一种。
4.按照权利要求3所述聚合物基电磁屏蔽薄膜或片材,其特征在于二维片状导电物质在导电层中的质量含量为1-40wt%。
5.制备权利要求1至4任一项权利要求所述聚合物基电磁屏蔽薄膜或片材的方法,其特征在于高分子树脂C和二维片状导电物质D预混合后在双螺杆挤出机中混合并造粒,得到导电层A物料;绝缘层B物料和导电层A物料分别投入微层共挤设备的两台挤出机,经熔炼、汇流、切割、变流、叠合、挤出得到薄膜或片材。
6.按照权利要求5所述的聚合物基电磁屏蔽薄膜或片材制备方法,其特征在于微层共挤出过程中,熔体流经的层倍增器数量为0-7个,得到的连续层状界面数量为1-255,出口模厚度为0.03-5mm可调。
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