[发明专利]主从式超前负载补偿稳压装置

权利要求书

1.一种应用于内存缓冲器电路的主从式超前负载补偿稳压装置，其特征在于，包括：

稳压单元，具有接收参考电压和反馈电压的输入端以及根据接收的所述参考电压和所述反馈电压产生调整电压的输出端；

主从式输出级，包括与所述稳压单元的输出端分别连接的主输出级以及多个从输出级，所述主输出级输出反馈电压，所述主输出级输出所述反馈电压，所述多个从输出级中的一个或多个输出提供给所述内存缓冲器中电路负载的供电电压；

主控制单元，用于监控所述内存缓冲器中电路负载的工作状况，并在所述电路负载的工作状况发生变化的情况下提前给出所述电路负载的工作信息；

与所述主控制单元连接的输出级控制单元，用于根据所述主控制单元提前给出的所述电路负载的工作信息产生对应于多个所述从输出级以使得多个所述从输出级实行开闭的使能信号，确保输出的供电电压保持稳定。

2.根据权利要求1所述的主从式超前负载补偿稳压装置，其特征在于，在所述主控制单元和所述输出级控制单元之间还包括控制信息延迟单元，用于对所述主控制单元提前给出的所述电路负载的工作信息进行延迟处理后再发送至所述输出级控制单元。

3.根据权利要求1所述的主从式超前负载补偿稳压装置，其特征在于，所述稳压单元包括运算放大器。

4.根据权利要求1或3所述的主从式超前负载补偿稳压装置，其特征在于，所述主输出级包括NMOS晶体管，所述NMOS晶体管的栅极连接所述稳压单元的输出端，所述NMOS晶体管的源极输出反馈电压。

5.根据权利要求4所述的主从式超前负载补偿稳压装置，其特征在于，所述从输出级包括NMOS晶体管，所述NMOS晶体管的栅极连接所述稳压单元的输出端，所述NMOS晶体管的源极输出供电电压。

6.根据权利要求1或5所述的主从式超前负载补偿稳压装置，其特征在于，在所述输出级控制单元和每一个所述从输出级之间还包括用于根据使能信号控制所述从输出级实行开闭的控制开关。

7.根据权利要求6所述的主从式超前负载补偿稳压装置，其特征在于，所述控制开关包括PMOS晶体管，所述PMOS晶体管的漏极连接所述输出级控制单元以接收所述使能信号，所述PMOS晶体管的源极连接电源，所述PMOS晶体管的漏极连接所述从输出级。

8.根据权利要求1所述的主从式超前负载补偿稳压装置，其特征在于，所述电路负载的工作信息包括电路负载的电流变化信息。

9.根据权利要求8所述的主从式超前负载补偿稳压装置，其特征在于，所述输出级控制单元用于根据所述主控制单元提前给出的所述电路负载的工作信息产生对应于多个所述从输出级以使得多个所述从输出级实行开闭的使能信号，确保输出的供电电压保持稳定，包括：当电路负载的工作电流不变时，所述从输出级开启数目保持不变；当电路负载的工作电流变大时，产生开启更多数目的从输出级的使能信号，使得所述从输出级开启的数目相应增加，以防止输出的供电电压下降；当电路负载的工作电流变小时，产生关闭一定数目的从输出级的使能信号，使得所述从输出级开启的数目相应减少，以防止输出的供电电压上升。