[发明专利]太阳能电池有效
申请号: | 201110450096.8 | 申请日: | 2011-12-29 |
公开(公告)号: | CN103187456A | 公开(公告)日: | 2013-07-03 |
发明(设计)人: | 金元浩;李群庆;范守善 | 申请(专利权)人: | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236 |
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地址: | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 | ||
1.一种太阳能电池,其包括:至少一电池单元,每一电池单元包括依次层叠设置的一第一电极层、一P型硅层、一N型硅层及一第二电极层,该P型硅层与该N型硅层接触并在接触区域形成一P-N结区,其特征在于,所述每一电池单元具有一表面与所述P型硅层与N型硅层的接触面相交作为受光端面,且所述受光端面为曲面。
2.如权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述至少一电池单元的个数为一。
3.如权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述每一电池单元中所述P型硅层具有相对的一第一表面和一第二表面,该N型硅层具有相对的一第三表面和一第四表面,该第一电极层设置在该P型硅层的第一表面,并与该P型硅层电接触,该第二电极层设置在该N型硅层的第四表面,并与该N型硅层电接触,该P型硅层的第二表面与该N型硅层的第三表面相接触形成所述P-N结区。
4.如权利要求3所述的太阳能电池,其特征在于,该P型硅层进一步具有连接整个所述第一表面和第二表面的一侧面,该P型硅层侧面的至少一部分为曲面,该N型硅层进一步具有连接整个所述第三表面和第四表面的一侧面,该N型硅层侧面的至少一部分为曲面,所述P型硅层侧面的曲面部分与所述N型硅层侧面的曲面部分相对应结合在一起共同构成所述受光端面。
5.如权利要求3所述的太阳能电池,其特征在于,该P型硅层进一步具有连接整个所述第一表面和第二表面的相连接的一第一侧面和一第二侧面,该第一侧面为曲面,该N型硅层进一步具有连接整个所述第三表面和第四表面的相连接的一第三侧面和一第四侧面,该第三侧面为曲面,所述第一侧面和第三侧面并接在一起构成所述受光端面。
6.如权利要求5所述的太阳能电池,其特征在于,所述第二侧面和所述第四侧面均为一平面,该第二侧面和第四侧面并接在一起构成一所述电池单元的放置面。
7.如权利要求5所述的太阳能电池,其特征在于,所述受光端面为圆弧面。
8.如权利要求3所述的太阳能电池,其特征在于,该第二电极层为整体覆盖该N型硅层的第四表面的金属材料层,该第一电极层为整体覆盖该P型硅层的第一表面的金属材料层。
9.如权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述受光端面进一步覆盖有一厚度小于150纳米的减反射层,所述减反射层的材料为氮化硅或二氧化硅。
10.如权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述每一电池单元通过所述受光端面暴露出所述P型硅层和所述N型硅层。
11.如权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述至少一电池单元的个数为多个,所述多个电池单元分布于至少一行构成至少一电池组,且在每一行中的多个电池单元串联设置形成一电池组。
12.如权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述至少一电池组为多个,所述多个电池单元分布于至少一列构成至少一电池组,且在每一列中的多个电池单元并联设置形成一电池组。
13.如权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述至少一电池单元的个数为多个,所述多个电池单元分布于多行多列,且在每一行中的多个电池单元串联设置,在每一列中的多个电池单元并联设置。
14.如权利要求12所述的太阳能电池,其特征在于,所述多个电池单元排列成多列时,共同构成一个太阳能电池的曲面的受光端面。
15.如权利要求11或13所述的太阳能电池,其特征在于,所述每一行中,所述每个太阳能电池单元的第二电极层与相邻的太阳能电池单元的第一电极层接触。
16.如权利要求12或13所述的太阳能电池,其特征在于,所述每一列中,所述每个太阳能电池单元的第一电极层与相邻的太阳能电池单元的第一电极层接触,所述每个太阳能电池单元的第二电极层与相邻的太阳能电池单元的第二电极层接触。
17.如权利要求12或13所述的太阳能电池,其特征在于,每一电池单元中所述P型硅层具有相对的一第一表面和一第二表面,该N型硅层具有相对的一第三表面和一第四表面,该第一电极层设置在该P型硅层的第一表面,并与该P型硅层电接触,该第二电极层设置在该N型硅层的第四表面,并与该N型硅层电接触,该P型硅层的第二表面与该N型硅层的第三表面相接触形成所述P-N结区。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的