[发明专利]非晶硅太阳能电池的制备方法

权利要求书

1.一种非晶硅太阳能电池的制备方法，其特征在于：该方法包括的步骤为：

(1)、P型半导体层成型：在TCO玻璃层上采用RF-PECVD方法沉积P型半导体层；

(2)、具有带隙缓变功能的过渡层成型：在P型半导体层上采用RF-PECVD方法沉积一具有带隙缓变功能的过渡层，衬底温度为200～250℃，首先向沉积炉内通入SiH₄、CH₄、H₂气体，气体流量分别为1.5slpm，1slpm，6slpm，等待气体混合均匀，并使得反应压强达到150～200Pa并保持稳定后，开启辉光进行沉积，辉光功率密度为0.02～0.03w/cm²；在沉积进行至50秒时，将CH₄气体的流量改为0.8slpm，100秒时将其流量改为0.6slpm，随后每增加50秒，流量减少0.2slpm，直到沉积进行至250秒时，CH₄气体的流量为0slpm，继续辉光，辉光时间为50s，完成具有带隙缓变功能的过渡层的成型；

(3)、本征半导体层以及N型半导体层成型：在具有带隙缓变功能的过渡层上采用RF-PECVD方法依次沉积本征半导体层以及N型半导体层；

(4)、背电极TCO层以及Al电极层成型：采用磁控溅射方法制备背电极TCO层以及Al电极层，非晶硅太阳能电池制备完成。

2.根据权利要求1所述的非晶硅太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述的具有带隙缓变功能的过渡层的厚度为5～15nm。

3.根据权利要求1所述的非晶硅太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述的P型半导体层、本征半导体层以及N型半导体层成型均为非晶硅碳薄膜。

4.根据权利要求1所述的非晶硅太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述的背电极TCO层为掺杂的ZnO薄膜。