[发明专利]一种低辐射玻璃及其制造方法

权利要求书

1.一种低辐射玻璃，包括玻璃基片和附着在所述玻璃基片上的膜层，其特征在于，所述膜层包括依次叠合的底层电介质组合层、功能层、阻挡层和顶层电介质组合层，所述底层电介质组合层贴附在所述玻璃基片上。

2.如权利要求1所述的低辐射玻璃，其特征在于，所述功能层为掺钨氧化铝锌电介质层。

3.如权利要求2所述的低辐射玻璃，其特征在于，所述掺钨氧化锌铝电介质层采用化学计量比为ZnO/Al₂O₃/W＝96∶2∶2的熔铸式靶材。

4.如权利要求3所述的低辐射玻璃，其特征在于，所述掺钨氧化锌铝电介质层的厚度为190～230nm。

5.如权利要求1、2、3或4所述的低辐射玻璃，其特征在于，所述底层电介质组合层包括TiO₂、ZnSnOX、SnO₂、ZnO、SiO₂、Ta₂O₅、BiO₂、Al₂O₃、ZnAl₂O₄、Nb₂O₅和Si₃N₄中的一种或几种。

6.如权利要求5所述的低辐射玻璃，其特征在于，所述底层电介质组合层的厚度为25～35nm。

7.如权利要求1、2、3、4或6所述的低辐射玻璃，其特征在于，所述阻挡层的材料包括Ni、Cr、NiCrOX和NiCrNX中的一种或几种。

8.如权利要求1、2、3、4或6所述的低辐射玻璃，其特征在于，所述顶层电介质组合层包括TiO₂、ZnSnOX、SnO₂、ZnO、SiO₂、Ta₂O₅、BiO₂、Al₂O₃、ZnAl₂O₄、Nb₂O₅和Si₃N₄中的一种或几种。

9.一种低辐射玻璃的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

a、玻璃基片准备，清洗玻璃基片，干燥后置于磁控溅射区；

b、沉积底层电介质组合层，采用中频电源加旋转阴极溅射在玻璃基片上沉积底层电介质组合层；

c、沉积功能层，采用中频电源加旋转阴极溅射在底层电介质组合层上沉积功能层；

d、沉积阻挡层，采用直流电源加脉冲溅射在功能层上沉积阻挡层；

e、沉积顶层电介质组合层，采用中频电源加旋转阴极溅射在阻挡层上沉积顶层电介质组合层。

10.如权利要求9所述的低辐射玻璃的加工方法，其特征在于，所述功能层为掺钨氧化锌铝电介质层，采用化学计量比为ZnO/Al₂O₃/W＝96∶2∶2的熔铸式靶材，将其镀覆在所述底层电介质组合层上。