[发明专利]半导体器件的制作方法有效
| 申请号： | 201110451716.X | 申请日： | 2011-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN103187279A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 吴孝嘉;房世林;罗泽煌;陈正培;章舒;何延强 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 顾珊;汪洋 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制作方法 | ||
1.一种半导体器件的制作方法，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底包括LDMOS区和CMOS区；
在所述半导体衬底上形成牺牲氧化层；
去除所述牺牲氧化层；
在经过牺牲氧化处理的所述半导体衬底上形成掩蔽层；
利用所述掩蔽层作为掩膜，形成所述LDMOS的漂移区，然后在所述漂移区上方形成漂移区氧化层；
去除所述掩蔽层。
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在所述去除掩蔽层的步骤之后，还包括：在经过牺牲氧化处理的所述半导体衬底上，形成所述CMOS的栅氧和栅极。
3.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述掩蔽层的厚度为250-400埃。
4.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述掩蔽层包括掩蔽氮化硅层和掩蔽氧化层，所述掩蔽氮化硅层位于所述掩蔽氧化层上方。
5.根据权利要求4所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述掩蔽氮化硅层的厚度为200-350埃，所述掩蔽氧化层的厚度为50-100埃。
6.根据权利要求4所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述掩蔽氮化硅层是在温度600-800度下热氧化生长形成的。
7.根据权利要求4所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述掩蔽氧化层是在温度800-1000度下热氧化生长形成的。
8.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述牺牲氧化层的去除的厚度大于所述牺牲氧化层的形成的厚度。
9.根据权利要求8所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，
所述牺牲氧化层形成的厚度为200-400埃，所述牺牲氧化层的去除的厚度为300-600埃。
10.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，
所述漂移区氧化层的厚度为500-1000埃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
