[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种化合物半导体器件，包括：

化合物半导体叠层结构，和

其中至少在所述化合物半导体叠层结构的缓冲层处局部地形成有其电阻值高于所述缓冲层的其它部分的区域。

2.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，还包括：

在所述化合物半导体叠层结构的上方形成的电极，和

其中所述区域至少在所述化合物半导体叠层结构的所述缓冲层处的与所述电极的下方匹配的部分位置处局部地形成。

3.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，

其中所述区域通过引入杂质形成。

4.根据权利要求3所述的化合物半导体器件，

其中所述杂质为选自铁、碳、硼、钛和铬中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，还包括：

其上形成所述化合物半导体叠层结构的衬底。

6.根据权利要求5所述的化合物半导体器件，

其中所述衬底的厚度设定为处于“0”(零)μm至50μm的范围内的值。

7.根据权利要求5所述的化合物半导体器件，

其中在所述衬底的背面处形成有凹陷部分，和

所述区域在所述化合物半导体叠层结构的与所述凹陷部分匹配的部分位置处形成。

8.根据权利要求7所述的化合物半导体器件，

其中所述凹陷部分为穿过所述衬底的开口。

9.一种制造包括化合物半导体叠层结构的化合物半导体器件的方法，包括：

从所述化合物半导体叠层结构的背面将杂质引入所述化合物半导体叠层结构的至少缓冲层中，以使所述缓冲层的电阻值变高。

10.根据权利要求9所述的制造化合物半导体器件的方法，还包括：

使其上形成有所述化合物半导体叠层结构的衬底的厚度减小，和

其中在所述厚度减小的工艺之后，将所述杂质引入所述化合物半导体叠层结构中。

11.根据权利要求9所述的制造化合物半导体器件的方法，

其中将所述杂质局部地引入至少所述缓冲层中，以形成其电阻值高于所述缓冲层的其它部分的区域。

12.根据权利要求11所述的制造化合物半导体器件的方法，还包括：

在所述化合物半导体叠层结构的上方形成电极，和

其中所述区域在与所述电极的下方匹配的部分位置处局部地形成。

13.根据权利要求11所述的制造化合物半导体器件的方法，还包括：

在其上形成有所述化合物半导体叠层结构的衬底的背面处形成凹陷部分，和

其中所述区域通过从所述衬底的所述背面将所述杂质引入所述化合物半导体叠层结构中形成。

14.根据权利要求13所述的制造化合物半导体器件的方法，

其中所述凹陷部分为穿过所述衬底的开口。

15.根据权利要求10所述的制造化合物半导体器件的方法，

其中所述衬底的厚度设定为处于“0”(零)μm至50μm的范围内的值。

16.根据权利要求9所述的制造化合物半导体器件的方法，

其中所述杂质为选自铁、碳、硼、钛和铬中的至少一种。

17.一种电源电路，包括：

变压器；

将所述变压器夹在中间的高压电路和低压电路，和

其中所述高压电路包括晶体管，和

所述晶体管包括：

化合物半导体叠层结构，和

其中至少在所述化合物半导体叠层结构的缓冲层处局部地形成有其电阻值高于所述缓冲层的其它部分的区域。

18.一种放大和输出输入高频电压的高频放大器，包括：

晶体管，和

其中所述晶体管包括：

化合物半导体叠层结构，和

其中至少在所述化合物半导体叠层结构的缓冲层处局部地形成有其电阻值高于所述缓冲层的其它部分的区域。