[发明专利]半导体处理设备

说明书

【技术领域】

本发明涉及半导体表面处理领域，尤其涉及一种对半导体晶圆进行表面处理的半导体处理设备。

【背景技术】

目前集成电路逐渐被应用到很多领域中，比如计算机、通信、工业控制和消费性电子等。集成电路的制造业，已经成为和钢铁一样重要的基础产业。

晶圆是生产集成电路所用的载体。在实际生产中需要制备的晶圆具有平整、超清洁的表面，而用于制备超清洁晶圆表面的现有方法可分为两种类别：诸如浸没与喷射技术的湿法处理过程，及诸如基于化学气相与等离子技术的干法处理过程。其中湿法处理过程是现有技术采用较为广泛的方法，湿法处理过程通常包括采用适当化学溶液浸没或喷射晶圆之一连串步骤组成。

然而，一般现有的制备超清洁晶圆表面的设备一般具有如下缺点：1、设备体积较大；2、处理液和超纯水的消耗量较高；3、些设备一旦出现故障，排除故障常会影响生产通量。

因此，有必要提出一种解决方案来解决上述问题。

【发明内容】

本发明要解决的技术问题在于提供一种体积较小、结构简单、组件易于更换的半导体处理装置。

为了解决上述问题，根据本发明的一个方面，本发明提供了一种半导体处理设备，其包括半导体处理模块和流体传送模块，所述半导体处理模块包括一用于容纳和处理半导体晶圆的微腔室，所述微腔室包括一个或多个供流体进入所述微腔室的入口和一个或多个供流体排出所述微腔室的出口，所述流体传送模块用于将各种未使用流体通过管道和所述微腔室入口输送至所述微腔室内，所述流体传送模块包括支撑框，组装于所述支撑框上的多个基板以及阀门，所述多个基板围出一个流体空间，其中的一个或多个基板上设有安装孔，所述阀门的设置有连通端口的端部穿过所述基板上的安装孔延伸至所述流体空间内。

进一步的，组装于所述支撑框上的多个基板包括底部基板、与所述底部基板间隔设置的顶部基板和两个互相间隔设置的侧面基板，所述侧面基板上设置有安装孔。

更进一步的，两个侧面基板平行设置，所述顶部基板和所述底部基板平行设置。

更进一步的，在所述底部基板上开设有连通所述流体空间的下开口，该下开口供连接用的管道穿过。

更进一步的，在所述顶部基板上开设有连通所述流体空间的上开口，该上开口供连接用的管道穿过。

更进一步的，每个侧面基板上都安设有多个阀门。

更进一步的，所述流体传送模块还包括有泵，所述泵的设置有吸入液体的吸入口和排出液体的排出口的端部穿过其中的一个侧面基板上的安装孔延伸至所述流体空间内，所述阀门的设置有连通端口的端部穿过其中的另一个侧面基板上的安装孔延伸至所述流体空间内。

再进一步的，所述泵的吸入口、所述泵的排出口、所述阀门的连通端口、所述微腔室的入口和/或所述微腔室的出口可通过管道连通。

更进一步的，所述流体传送模块还包括从底部基板延伸至顶部基板的第五基板，该第五基板与两个侧面基板垂直并相交，该第五基板的一侧包括所述流体空间，另一个侧的空间中设置有气体装置。

进一步的，所述微腔室包括形成上工作表面的上腔室部和形成下工作表面的下腔室部，所述上腔室部和所述下腔室部可在一驱动装置的驱动下在装载和/或移除该半导体晶圆的打开位置和一处理该半导体晶圆的关闭位置之间相对移动，当上腔室部或者所述下腔室部处于关闭位置时，半导体晶圆安装于所述上工作表面和下工作表面之间。

与现有技术相比，本发明中半导体处理装置可以大幅度降低用于制备超清洁晶圆表面的处理液和超纯水用量，减少废水排放。此外所述半导体处理装置中的流体传送模块中设置封闭式的流体空间，不仅可以方便管道的连接，也可以使得在发生液体泄漏或喷洒等情况时防止处理流体扩散到其他区域，产生安全问题和对其它组成部件造成破坏。

关于本发明的其他目的，特征以及优点，下面将结合附图在具体实施方式中详细描述。

【附图说明】

结合参考附图及接下来的详细描述，本发明将更容易理解，其中同样的附图标记对应同样的结构部件，其中：

图1为本发明中的模块化半导体处理设备的结构示意图；

图2为图1中的流体承载模块在一个实施例中的立体结构示意图；

图3A为图1中的流体传送模块在一个实施例中的立体结构示意图

图3B为图3A中的流体传送模块的平面投影视图；

图3C为图1中的流体传送模块在另一个实施例中的立体结构示意图；

图3D为图3C中的流体传送模块的平面投影视图；和