[发明专利]薄膜晶体管结构及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管结构，其特征是，其包括：

基板；

栅极层，形成于该基板上；

栅极绝缘层，形成于该栅极层上；

源极和漏极，形成于该栅极绝缘层上；以及

透明材料层，具有通道区以及绝缘区，其中该通道区位于该源极和该漏极之间的该栅极绝缘层上，该绝缘区覆盖于该通道区、该源极和该漏极上。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管结构，其特征是，该透明材料层由铟镓锌氧化物组成，且组成该通道区的铟镓锌氧化物的铟、镓、锌及氧成分比例为1:1:1:(3.5至4.5)。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管结构，其特征是，该通道区的厚度实值介于50 nm至100 nm之间，且该通道区具有实质介于1×101 ~ 1×106 ohm-cm之间的电阻值；该绝缘区的厚度实值介于50 nm至500 nm之间，且该绝缘区具有实质大于1×106 ohm-cm的电阻值。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管结构，其特征是，构成该源极与该漏极的材料是铟锡氧化物、铟锌氧化物、铟镓锌氧化物或上述任意组合所组成的导电材料。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管结构，其特征是，该漏极具有延伸部，延伸至像素区以形成像素电极。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管结构，其特征是，更包括像素电极层，形成于该栅极绝缘层上，且与该漏极电性连接。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管结构，其特征是，该基板为玻璃基板或塑料基板；且该栅极绝缘层的材料选自于由氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化铪及上述任意组合所组成的一个族群。

8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管结构，其特征是，更包括保护层，形成于该绝缘区上，其中该保护层的材质选自于由氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、树脂以及上述任意组合所组成的一个族群。

9.一种薄膜晶体管结构的制造方法，其特征是，其包括：

提供基板；

在该基板上形成栅极层；

在该栅极层上形成栅极绝缘层；

在该栅极绝缘层上形成源极以及漏极；以及

形成具有通道区以及绝缘区的透明材料层，使该通道区位于该源极和该漏极之间的该栅极绝缘层上，该绝缘区覆盖于该通道区、该源极和该漏极上。

10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管结构的制造方法，其特征是，该透明材料层的形成，是通过一个连续溅镀制程，以不破真空的方式，在该栅极绝缘层、该源极和该漏极上形成该通道区以及该绝缘区。