[发明专利]一种砷化镓单晶线切割基准面的加工方法

权利要求书

1.一种砷化镓单晶线切割基准面的加工方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

(1)单晶定向：使用X射线衍射定向仪对晶体进行定向，定出<100>晶面；

(2)切取割边机水平方向的基准面：使用内圆切片机切取<100>方向小面，将晶体固定在内圆切片机的卡具上，调整晶体与刀片成45°夹角，开启切片机切取<100>面，作为固定割边基准面；

(3)测绘<110>切割面：在晶体表面用丁字尺测绘出与<100>方向小面成90°夹角的<110>面，并用记号笔标记基准线；

(4)割边：将晶体固定于金刚石带锯割边机的卡具上，打开激光对刀功能，调整模拟割边路径，使激光对准基准线，启动带锯条调节进给速度，完成割边；

(5)表面研磨：割边结束后，观察表面是否平整光滑进行细磨修正。

2.根据权利要求1所述的砷化镓单晶线切割基准面的加工方法，其特征在于，所述金刚石带锯割边机的带锯运动方式为往复式，x、y轴移动平台由双直线导轨支撑，精密丝杠、步进电机驱动，电路单片机控制，进给速度可以无级调节，在0.5m·min^-1～2m·min^-1之间可精确调节割边速度；y轴移动平台上装有二维旋转卡具，水平方向和垂直方向均可调节，卡具采用电机驱动并装有旋转手柄，可实现锯条与晶体之间点接触切削，切削阻力不随切削深度变化而变化。

3.根据权利要求2所述的砷化镓单晶线切割基准面的加工方法，其特征在于，所述金刚石带锯割边机的金刚石带锯基体为不锈钢材料，基体表面电镀100目金刚砂，金刚砂宽度为1±0.2mm。