[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种化合物半导体器件，包括：

其中形成有第一凹陷和第二凹陷的堆叠化合物半导体结构；

通过栅极绝缘膜在所述第一凹陷中形成的栅电极；和

形成在所述第二凹陷中并且与所述堆叠化合物半导体结构肖特基接触的场板电极。

2.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，其中所述第二凹陷形成为浅于所述第一凹陷。

3.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，其中

所述堆叠化合物半导体结构在顶层上具有盖层，和

所述第二凹陷只在所述盖层中形成。

4.根据权利要求3所述的化合物半导体器件，其中

所述盖层由依次堆叠的第一层、第二层和第三层形成，

所述第一层和所述第三层的带隙窄于所述堆叠化合物半导体结构中所述盖层下方的化合物半导体层的带隙，并且所述第二层的带隙宽于所述化合物半导体层的带隙。

5.根据权利要求4所述的化合物半导体器件，其中所述第二凹陷形成为使得所述第二层在底面处暴露于外部。

6.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，还包括：

在所述堆叠化合物半导体结构上形成为与所述栅电极相邻的源电极和漏电极，其中

所述场板电极与所述源电极电连接。

7.一种用于制造化合物半导体器件的方法，包括：

在堆叠化合物半导体结构中的表面层中形成第一凹陷；

在所述第一凹陷中形成栅极绝缘膜；

在所述堆叠化合物半导体结构的表面层中形成第二凹陷；

通过所述栅极绝缘膜在所述第一凹陷中形成栅电极；和

在所述第二凹陷中形成与所述堆叠化合物半导体结构肖特基接触的场板电极。

8.根据权利要求7所述的制造化合物半导体器件的方法，其中所述第二凹陷形成为浅于所述第一凹陷。

9.根据权利要求7所述的制造化合物半导体器件的方法，其中所述栅电极和所述场板电极在相同的步骤中形成。

10.根据权利要求7所述的制造化合物半导体器件的方法，其中

所述堆叠化合物半导体结构在顶层上具有盖层，和

所述第二凹陷只在所述盖层中形成。

11.根据权利要求10所述的制造化合物半导体器件的方法，其中

所述盖层由依次堆叠的第一层、第二层和第三层形成，

所述第一层和所述第三层的带隙窄于所述堆叠化合物半导体结构中所述盖层下方的化合物半导体层的带隙，并且所述第二层的带隙宽于所述化合物半导体层的带隙。

12.根据权利要求11所述的制造化合物半导体器件的方法，其中所述第二凹陷形成为使得所述第二层在底面处暴露于外部。

13.根据权利要求7所述的制造化合物半导体器件的方法，还包括：

在所述堆叠化合物半导体结构上形成与所述栅电极相邻的源电极和漏电极，和

将所述场板电极与所述源电极电连接。

14.一种电源装置，包括：

变压器，以及将所述变压器夹在中间的高压电路和低压电路，

所述高压电路包括晶体管，

所述晶体管包括：

其中形成有第一凹陷和第二凹陷的堆叠化合物半导体结构；

通过栅极绝缘膜在所述第一凹陷中形成的栅电极；和

形成在所述第二凹陷中并且与所述堆叠化合物半导体结构肖特基接触的场板电极。

15.根据权利要求14所述的电源装置，其中

所述高压电路包括PFC电路，和

设置在所述PFC电路中的第一开关元件是所述晶体管。

16.根据权利要求15所述的电源装置，其中

所述高压电路还包括与所述PFC电路连接的逆变电路，和

设置在所述逆变电路中的第二开关元件是所述晶体管。

17.根据权利要求14所述的电源装置，其中所述晶体管具有形成为浅于所述第一凹陷的第二凹陷。

18.一种用于放大输入高频电压和输出所放大的高频电压的高频放大器，所述高频放大器包括晶体管，

所述晶体管包括：

其中形成有第一凹陷和第二凹陷的堆叠化合物半导体结构；

通过栅极绝缘膜在所述第一凹陷中形成的栅电极；和

形成在所述第二凹陷中并且与所述堆叠化合物半导体结构肖特基接触的场板电极。