[发明专利]具有椭圆柱状鳍的凹入式晶体管有效
| 申请号： | 201110452514.7 | 申请日： | 2011-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN102738223A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 吴铁将;陈逸男;刘献文 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 椭圆 柱状 凹入式 晶体管 | ||
1.具有椭圆柱状鳍的凹入式晶体管，其特征在于，包含：
半导体基底，包含一有源区域；
第一絶缘区和第二絶缘区同时设置在所述半导体基底中，所述有源区域位在第一絶缘区和第二絶缘区之间；
栅极结构设置在所述半导体基底中，其中栅极结构包含：
上部分，设置在所述有源区域中；以及
下部分，包含前方鳍、至少一个中间鳍和一个后方鳍，前方鳍设置在所述第一絶缘区，中间鳍设置在所述有源区域，后方鳍设置在所述第二絶缘区，其中，前方鳍和后方鳍都是椭圆柱形；
源极掺杂区，设置在所述有源区域中并且位在所述栅极结构的一侧；以及
一漏极掺杂区，设置在所述有源区域中并且位有源所述栅极结构的另一侧。
2.如权利要求1所述的具有椭圆柱状鳍的凹入式晶体管，其特征在于，所述前方鰭和所述後方鰭對稱。
3.如权利要求1所述的具有椭圆柱状鳍的凹入式晶体管，其特征在于，所述栅极结构的所述下部分另包含一结合组件，所述结合组件连接所述前方鳍和所述中间鳍，所述中间鳍与所述前方鳍相邻。
4.如权利要求1所述的具有椭圆柱状鳍的凹入式晶体管，其特征在于，所述栅极结构的所述下部分还包含一结合组件，所述结合组件连接所述后方鳍和所述中间鳍，所述中间鳍与所述后方鳍相邻。
5.如权利要求1所述的具有椭圆柱状鳍的凹入式晶体管，其特征在于，所述前方鳍和与所述前方鳍相邻的所述中间鳍定义出第一凹入区域，所述后方鳍和与所述后方鳍相邻的所述中间鳍定义出第二凹入区域。
6.如权利要求5所述的具有椭圆柱状鳍的凹入式晶体管，其特征在于，所述半导体基底的所述有源区域中包含第一突出部和第二突出部。
7.如权利要求6所述的具有椭圆柱状鳍的凹入式晶体管，其特征在于，所述第一突出部嵌入所述第一凹入區域，所述第二突出部嵌入所述第二凹入區域。
8.如权利要求6所述的具有椭圆柱状鳍的凹入式晶体管，其特征在于，所述第一突出部位於所述前方鰭和與所述前方鰭相鄰的所述中間鰭之間。
9.如权利要求6所述的具有椭圆柱状鳍的凹入式晶体管，其特征在于，所述第二突出部位在所述后方鳍和与所述后方鳍相邻的所述中间鳍之间。
10.如权利要求1所述的具有椭圆柱状鳍的凹入式晶体管，其特征在于，所述栅极结构的所述上部分包含垂直侧壁。
11.如权利要求1所述的具有椭圆柱状鳍的凹入式晶体管，其特征在于，所述栅极结构的所述下部分包含凹凸状底部。
12.如权利要求1所述的具有椭圆柱状鳍的凹入式晶体管，其特征在于，由所述源极掺杂区向所述漏极掺杂区观看，所述栅极结构的所述下部分为M形。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南亚科技股份有限公司，未经南亚科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110452514.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种地址调度方法、装置及系统
- 下一篇：半导体装置、显示装置以及电子装置
- 同类专利
- 专利分类
