[发明专利]降低微负载效应的方法无效
| 申请号： | 201110452526.X | 申请日： | 2011-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN102810470A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 李秀春;陈逸男;刘献文 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 降低 负载 效应 方法 | ||
1.一种降低微负载效应的方法，其特征在于，包含：
提供一基底，其中所述基底划分为一高密度区和一低密度区；
形成一高密度图案在所述高密度区内并且形成一低密度图案在所述低密度区内；
形成一光刻层覆盖所述低密度区；以及
以所述高密度图案与所述低密度图案为屏蔽，蚀刻所述基底与所述光刻层。
2.根据权利要求1所述的降低微负载效应的方法，其特征在于，所述高密度图案和所述低密度图案的形成方法包含：
形成一掩膜层在所述基底上；以及
蚀刻所述掩膜层以形成所述高密度图案与所述低密度图案。
3.根据权利要求2所述的降低微负载效应的方法，其特征在于，所述掩膜层包含一第一材料层和一第二材料层覆盖所述第一材料层。
4.根据权利要求3所述的降低微负载效应的方法，其特征在于，所述第一材料层和所述第二材料层使用相异的材料制作。
5.根据权利要求2所述的降低微负载效应的方法，其特征在于，当蚀刻所述掩膜层时，部分位在所述低密度区的所述基底也被蚀刻。
6.根据权利要求5所述的降低微负载效应的方法，其特征在于，位在所述低密度区的所述基底的上表面低于位在所述高密度区的所述基底的上表面。
7.根据权利要求1所述的降低微负载效应的方法，其特征在于，所述高密度图案定义出多个第一凹洞，并且一第一间隔位在两相邻的所述第一凹洞之间。
8.根据权利要求7所述的降低微负载效应的方法，其特征在于，所述低密度图案定义出多个第二凹洞，并且一第二间隔位在两相邻的所述第二凹洞之间。
9.根据权利要求8所述的降低微负载效应的方法，其特征在于，所述第二间隔大于所述第一间隔。
10.根据权利要求9所述的降低微负载效应的方法，其特征在于，所述第二间隔大于两倍的所述第一间隔。
11.根据权利要求9所述的降低微负载效应的方法，其特征在于，所述光刻层填入所述第二凹洞。
12.根据权利要求8所述的降低微负载效应的方法，其特征在于，所述第二凹洞较所述第一凹洞深。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
