[发明专利]一种基于MEMS技术的瓦斯报警器的测量部件及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201110452721.2 申请日: 2011-12-30
公开(公告)号: CN103184886A 公开(公告)日: 2013-07-03
发明(设计)人: 高玉翔;牟诗城 申请(专利权)人: 国家纳米技术与工程研究院
主分类号: E21F17/18 分类号: E21F17/18;B81B7/00;B81C1/00;G01N27/16
代理公司: 天津天麓律师事务所 12212 代理人: 卢枫
地址: 300457 天津市滨*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 mems 技术 瓦斯 报警器 测量 部件 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种基于MEMS技术的瓦斯报警器的测量部件,其特征在于其包括堆放在一起的两块长方体硅基,其中一个硅基在与另一个硅基接触面的一侧开有气体通道,所述气体通道为长方体形状的缺口,所述缺口的入口处设置有一层过滤其他气体的活性炭;开有气体通道的硅基在缺口表面的中间位置设有热敏电阻,另一个长方体硅基在其与缺口相对应的表面设置有燃烧元件。

2.根据权利要求1所述的一种基于MEMS技术的瓦斯报警器的测量部件,其特征在于所述测量部件的上表面设有一层连接外部电路的绝热层。

3.根据权利要求1所述的一种基于MEMS技术的瓦斯报警器的测量部件,其特征在于所述的测量部件的瓦斯浓度测量范围是0~4%(体积比)。

4.一种基于MEMS技术的瓦斯报警器的测量部件的制作方法,其特征在于它包括以下步骤: 

(1)用 MEMS仿真设计出气体通道和测量单元的图形,并制成玻璃为基板的镍Ni金属掩模板;

(2)用光刻机将气体通道的图形转移到旋涂有光刻胶的长方体硅基;胶厚为0.5~1.5微米,将悬涂好光刻胶的硅片放置在真空干燥箱中前烘10分钟,温度为90℃;再用极紫外线光进行光刻,根据胶厚的不同设置曝光时间为4~12s,然后,在浓度为0.6%的NaOH溶液中显影20~60s,将显影好的硅片进行后烘15分钟,温度为120℃;将显影后干燥过的硅片,置于反应离子刻蚀机中,氧气流量为50sccm,气压为40mbar,forword power为50w,轰击2分钟,去除图形底部残胶,深度为10~20微米;

(3)仿照(2)的步骤,在开有气体通道的硅基的缺口表面的中间位置光刻并刻蚀出热敏电阻的图形,深度4微米;

(4)使用丙酮超声清洗5~10分钟,洗去光刻胶以及其他杂质;

(5)使用LPCVD技术,在热敏电阻的部分沉积磷和硼的化合物制成热敏电阻;

(6)用微电镀技术在另一个长方体硅基上镀上燃烧元件,燃烧元件包括铂基和催化剂氧化钯;

(7)在各部分之间电镀制作导线并连接到外部电路中,制成芯片封装。

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