[发明专利]增益自校正电路及带有该增益自校正电路的光纤跨阻放大器有效

专利信息
申请号: 201110453362.2 申请日: 2011-12-30
公开(公告)号: CN102497169A 公开(公告)日: 2012-06-13
发明(设计)人: 李景虎;张兴宝 申请(专利权)人: 李景虎
主分类号: H03G3/20 分类号: H03G3/20;H03F3/08
代理公司: 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人: 张果瑞
地址: 264209 山东省威*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 增益 校正 电路 带有 光纤 放大器
【权利要求书】:

1.增益自校正电路,其特征在于,所述增益自校正电路包括第一PMOS晶体管(MP1)、第二PMOS晶体管(MP2)、第三PMOS晶体管(MP3)、误差放大器(AE)、复制放大器(AD)、NMOS晶体管(MN1)、参考电流源(IREF)、复制电阻(RF_D)、参考电阻(RFEF)、滤波电阻(RFILT)和滤波电容(CFILT);

第一PMOS晶体管(MP1)的源极、第二PMOS晶体管(MP2)的源极和第三PMOS晶体管(MP3)的源极都连接电源VDD!;第一PMOS晶体管(MP1)的栅极、第二PMOS晶体管(MP2)的栅极和第三PMOS晶体管(MP3)的栅极连接在一起,且都与第一PMOS晶体管(MP1)的漏极连接;

第一PMOS晶体管(MP1)的漏极连接参考电流源(IREF)的正端,参考电流源(IREF)的负端连接地线GND!;

第二PMOS晶体管(MP2)的漏极同时连接误差放大器(AE)的反相输入端和参考电阻(RFEF)的一端;参考电阻(RFEF)的另一端连接复制放大器(AD)的输出端;

第三PMOS晶体管(MP3)的漏极同时连接误差放大器(AE)的同相输入端和NMOS晶体管(MN1)的漏极,NMOS晶体管(MN1)的栅极连接增益自校正电路的增益校正电压VS输出端,NMOS晶体管(MN1)的源极连接复制放大器(AD)的输出端;

误差放大器(AE)的输出端连接滤波电阻(RFILT)的一端,滤波电阻(RFILT)的另一端连接增益自校正电路的增益校正电压VS输出端,滤波电阻(RFILT)的另一端还与滤波电容(CFILT)的一端相连,滤波电容(CFILT)的另一端接地线GND!;

复制放大器(AD)的输入端和输出端之间并联复制电阻(RF_D)。

2.根据权利要求1所述的增益自校正电路,其特征在于,滤波电阻(RFILT)选用线性电阻或工作于线性区的MOS晶体管,滤波电容(CFILT)选用线性电容或MOS电容。

3.带有如权利要求1所述的增益自校正电路的光纤跨阻放大器,它包括单端放大器(A)和第一晶体管(M1),其特征在于,它还包括第二晶体管(M2)和增益自校正电路,

单端放大器(A)的输入端接收光电二极管转换的光电流信号(IIN),单端放大器(A)的输出端输出放大的电压信号VOUT

第一晶体管(M1)并联在单端放大器(A)的输入端与输出端之间,第一晶体管(M1)的栅极由自动增益电路的输出电平AGC控制;

第二晶体管(M2)并联在单端放大器(A)的输入端与输出端之间,第二晶体管(M2)的栅极电压由增益自校正电路输出的增益校正电压VS控制。

4.根据权利要求3所述的具有自校正功能的光纤跨阻放大器,其特征在于,所述复制放大器(AD)是根据单端放大器(A)复制获得,所述复制放大器(AD)与单端放大器(A)的尺寸相同,并且复制放大器(AD)的输出电压VD_OUT与单端放大器(A)的输出电压VOUT相等。

5.根据权利要求3所述的具有自校正功能的光纤跨阻放大器,其特征在于,NMOS晶体管(MN1)与第二晶体管(M2)尺寸完全相同,并且NMOS晶体管(MN1)的导通电阻(RON_MN1)与第二晶体管(M2)的导通电阻(RF_M2)相等。

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