[发明专利]发光二极管封装结构

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体封装结构，特别是指一种发光二极管封装结构。

背景技术

发光二极管做为第三代光源，具有体积小、节能环保、发光效率高等优点，得到越来越广泛的应用。而一般发光二极管封装结构往往是将一LED芯片封装于该封装结构的中心，但是这种封装结构的正向出光强度往往较高，而周围的出光强度较小，且只具有较小的出光角度。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种具有较大的出光角度的发光二极管封装结构。

一种发光二极管封装结构，包括基板、设置于基板上的电极、与所述电极电性连接的发光二极管芯片及封装层。在所述封装层内对应所述发光二极管芯片的正向出光路径上设置偏转部。该偏转部具有与所述封装层相接的入光面。该偏转部的折射率小于封装层的折射率，使得发光二极管芯片发出的部分光线在所述入光面处发生全反射，而射向偏转部周围的区域。

该发光二极管封装结构，由于在所述封装层内对应所述发光二极管芯片的正向出光路径上设置一偏转部，该偏转部具有一与所述封装层相接的入光面，该偏转部的折射率小于封装层的折射率，使得发光二极管芯片发出的部分光线在所述入光面处发生全反射，而射向偏转部周围的区域，因此增大了该发光二极管封装结构的出光角度。

附图说明

图1是本发明实施方式提供的一种发光二极管封装结构示意图。

图2是图1中的发光二极管封装结构的俯视图。

图3是图1中的发光二极管封装结构的出光线路示意图。

图4是图1中的发光二极管封装结构的光强与出光角度的关系图。

主要元件符号说明

发光二极管封装结构10基板11上表面111下表面112电极12发光二极管芯片13封装层14偏转部15入光面151出光面152

如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。

具体实施方式

以下将结合附图对本发明作进一步的详细说明。

请参阅图1和图2，本发明实施方式提供的一种发光二极管封装结构10，包括基板11、电极12、发光二极管芯片13、封装层14及偏转部15。

基板11为一矩形平板，用以承载所述电极12、发光二极管芯片13和封装层14于其上。所述基板11包括上表面111和与上表面111相对且相互平行的下表面112。所述基板11材料为PPA（Polyphthalamide，聚醋酸乙烯酯）等绝缘材料。可以理解的，所述基板11各边的长度可以相同或不同，进一步的，所述基板11的形状并不限于矩形，其形状还可以为圆形等。