[发明专利]场效应晶体管的制作方法

权利要求书

1.一种场效应晶体管的制作方法，其特征在于，该方法包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成第一开口；

在所述第一开口内形成多个间隔排列的第一多鳍结构；

在所述形成有第一多鳍结构的第一开口中，填充有机物材料；

在所述有机物材料上形成光刻胶层，图形化所述光刻胶层；

以所述图形化的光刻胶层为掩膜，去除部分第一多鳍结构，形成第二多鳍结构。

2.如权利要求1所述的场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述图形化所述光刻胶层包括根据所需的第二多鳍结构的鳍部间距尺寸设定光刻胶层图形。

3.如权利要求2所述的场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述第二多鳍结构的鳍部间距尺寸相等。

4.如权利要求2所述的场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述第二多鳍结构的鳍部间距尺寸不等。

5.如权利要求1所述的场效应晶体管的制作方法，其特征在于，在所述第一开口内形成多个间隔排列的第一多鳍结构包括：

在所述第一开口内形成自组装层；

对所述自组装层进行退火处理，形成分别呈条状的第一结构和第二结构，且所述第一结构和第二结构相互交错平行排列；

去除所述第一结构，形成具有多个第二开口的自组装层；

以所述具有多个第二开口的自组装层为掩膜，刻蚀部分所述衬底，形成多个间隔排列的第一多鳍结构。

6.如权利要求5所述的场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述自组装层材料包括聚苯乙烯-聚甲基丙烯酸甲酯双嵌段共聚物，所述第一结构的材料为PMMA，所述第二结构的材料为PS。

7.如权利要求5所述的场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述退火温度为200℃以下，退火时间为4～6分钟。

8.如权利要求5所述的场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述第一结构和第二结构的宽度在10～20nm之间。

9.如权利要求1所述的场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述有机物材料为底部抗反射涂层。

10.如权利要求1所述的场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述填充有机物材料的厚度至少将衬底第一开口填满。

11.如权利要求1所述的场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述去除部分的第一多鳍结构采用干法刻蚀工艺。

12.如权利要求11所述的场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述刻蚀气体包括HCl和H₂，所述HCl的流量为150～300sccm，所述H₂的流量为15～30slm。

13.如权利要求11所述的场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述刻蚀工艺参数为：温度20～70℃，压力为2mTorr～100mTorr。

14.如权利要求5所述的场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述衬底包括SOI衬底，所述SOI衬底至少包括有源半导体层，所述刻蚀部分所述衬底指刻蚀部分有源半导体层形成第一多鳍结构。

15.如权利要求14所述的场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述有源半导体层包括硅、SiGe、SiC、Ge或其任意组合。

16.如权利要求5所述的场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述衬底包括体硅。